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闪迪美光等存储芯片股率先回神,A股和中国台湾存储板块集体反攻

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2026-03-05

闪迪美光等存储芯片股率先回神,A股和中国台湾存储板块集体反攻,南亚科领衔涨停;存储芯片疯涨100%+!中国台湾厂商扩产提速,联想已率先涨价


2026年以来,受AI需求爆发、产能紧张双重驱动,全球存储芯片市场迎来“超级周期”,DRAM、NAND闪存价格疯狂飙升,中国台湾厂商南亚科、华邦电领衔反攻,美股美光、闪迪同步暴涨,甚至传导至终端消费市场,联想已上调部分电脑售价,整个产业链迎来全面躁动。


市场暴动:中国台湾存储板块集体反攻,南亚科领衔涨停

随着美股四大指数反弹,闪迪、美光等存储芯片股率先回神,带动全球存储板块复苏。中国台湾存储板块顺势上演绝地大反攻,其中南亚科表现最为亮眼,领衔涨停,同时带动华邦电、福懋科、旺宏等多只个股同步走高。

除涨停个股外,宇瞻、威刚、南茂、创见、华东等个股涨幅均超半根停板,整个存储板块呈现全面飘红态势,背后核心逻辑的是AI需求的持续扩张与行业产能的严重短缺,市场对存储芯片的看涨情绪已全面爆发。

除中国台湾地区个股外,A股存储芯片板块同样迎来暴涨行情,3月5日当天存储芯片指数(886042)收盘涨1.90%,总市值达64426.84亿元,当日成交额高达1849.03亿元


价格狂潮:涨幅翻倍成常态,机构集体看涨

当前存储芯片价格的上涨态势已超出市场预期,各大机构纷纷上调涨幅预测,其中三星、美光、闪迪等行业巨头成为最大受益者。

据韩国电子新闻报道,三星电子已完成2026年一季度DRAM供货价格谈判,服务器、PC及移动端通用DRAM均价较上季度上涨约100%,部分客户及产品涨幅甚至超100%,较1月份协商的70%涨幅,一个月内再扩30个百分点,部分海外客户已完成付款。与此同时,NAND闪存价格一季度涨幅也达100%,市场紧张局势进一步加剧。

机构对涨价趋势的判断高度一致。法国巴黎银行(BNP PARIBAS)发布研报称,2026年一季度DRAM合约价环比大涨90%,NAND环比大涨55%,二季度将延续上涨轨迹;花旗集团则更为激进,将2026年DRAM平均售价涨幅预期从53%上调至88%,NAND从44%上调至74%,其中服务器DRAM同比涨幅有望达144%,企业级SSD同比涨幅预计87%。

价格暴涨的同时,现货与合约价的溢价也持续扩大。2月份数据显示,消费电子级DDR4现货价格环比上涨11%、同比暴涨1284%,较合约价溢价80%;DDR5现货价格环比上涨9%、同比上涨673%,较合约价溢价73%,预示后续合约价仍有较大上涨空间。值得注意的是,国家发展改革委价格监测中心数据显示,截至2026年1月,DRAM和NAND闪存价格已创下2016年有统计以来的新高,主流型号DDR4 8Gb颗粒现货价格从2025年低点的3.2美元飙升至15美元,涨幅达369%。


核心逻辑:AI成最大推手,存储成“硬通货”

此次存储芯片暴涨的核心驱动力,是AI浪潮带来的需求爆发,存储芯片已成为AI时代不逊于英伟达AI芯片的“绝对C位”,成为AI算力链的核心支撑。

无论是谷歌TPU AI算力集群,还是英伟达GPU算力集群,都离不开完整的存储系统支撑。从底层硬件来看,AI计算的效率不仅取决于算力,更取决于“数据搬运能力”,而HBM(高带宽存储器)、DDR5、企业级SSD正是决定大模型训练与推理效率的关键——HBM负责高速供数,DDR5负责内存扩展与数据预处理,企业级SSD负责持久化数据存储,三者共同构成AI存储金字塔,没有存储支撑,GPU、TPU的峰值算力无法有效兑现。

随着AI推理时代到来,北美云计算巨头大幅增加高性能存储采购,其中企业级SSD需求远超预期,进一步加剧供需失衡。与此同时,存储芯片供应商持续将产能转向企业级高性能产品,新增产能极为审慎,供需缺口持续扩大,推动价格一路飙升,行业进入剧烈的卖方市场,定价权完全掌握在三星、SK海力士、美光、闪迪等巨头手中。


厂商动作:扩产提速,中国台湾厂商积极布局

面对持续火爆的市场,全球存储厂商纷纷加大投入、扩充产能,其中中国台湾厂商南亚科、华邦电动作最为积极,抢占行业红利。

南亚科明确表示,受AI及数据中心需求推动,DRAM市场供不应求格局将延续至2027年上半年,预计2026年一季度价格逐月上涨,二季度出现明显跳增,全年价格稳定向上。产能方面,南亚科今年资本支出上限为520亿元,投入10纳米级制程、新厂建置与研发,新厂初期月产能2万片,最快2027年一季度装机,2028年逐步扩充产能;产品端聚焦高效能、高密度产品,推进DDR5、LPDDR与客制化DRAM方案,已开始量产或验证128GB DDR5 RDIMM等产品,同时与福懋科紧密合作,扩充后段封测产能,延伸至客制化存储器堆叠领域,助力福懋科今年营运显著成长。此外,南亚科已针对不同客户采取月度、季度等差异化议价模式,兼顾长期稳定与短期市场调整。

华邦电同样加大布局力度,2026年资本支出上调至421亿元台币,较上年激增逾6倍,重点投入生产设备扩充与后段封测产能,新产能预计2027年陆续发酵。厂区建设方面,高雄厂预计2026年5-6月完成装机并导入16纳米制程,台中厂7月开始投片;产品端保留制程弹性,可灵活调整NAND与NOR产能,同时推进CUBE项目,预计2027年开始提供新应用支持,初期聚焦穿戴式装置领域。财务方面,华邦电处分旗下封测厂华东股票,回收资金约6.22亿元,用于充实营运需求。管理层表示,AI与数据中心需求持续旺盛,短期内DRAM供需失衡态势不会改变。

此外,南亚科今年资本支出预计达500亿元新台币,年增2.7倍,为公司史上最大手笔,重点用于新厂产能扩充,预计2028年上半年开出2万片新产能,进一步提升市场竞争力,持续受益于行业景气度提升。


终端传导:联想率先涨价,部分机型涨超千元

存储芯片价格的持续暴涨,已逐步传导至终端消费市场,PC厂商率先开启涨价模式。据蓝鲸新闻报道,联想已向渠道商发出价格调整通知,对部分电脑产品进行涨价。

消息人士透露,线上渠道的价格调整早在3月份之前就已显现,要么直接上调标价,要么取消原有优惠活动;此次调价重点针对线下门店体系,相关渠道商已收到新价格表,部分电脑型号终端零售价较去年涨幅超1000元。不过,针对学生的购机补贴政策仍在执行,学生群体购机价格暂未受影响。

对于涨价原因,知情人士表示,全球存储芯片市场剧烈波动,联想未来3至4个季度将持续承受显著的价格上涨压力,此次调价是应对成本压力的必要举措。


未来展望:涨价趋势延续,超级周期仍在途中


综合各大机构预测与厂商动态,2026年存储芯片的超级周期仍将持续。业内人士分析,当前AI相关场景已消耗超过40%的高端DRAM产能,供需缺口短期内难以缓解,叠加厂商新增产能审慎,2026年二季度DRAM、NAND价格将继续上涨,尽管涨幅可能放缓,但整体上行趋势已成定局。

随着AI Agent普及、AI CPU存储器需求激增,存储芯片价格有望持续攀升,三星、美光、闪迪等行业巨头,以及南亚科、华邦电等中国台湾厂商,将持续享受行业红利;而终端市场的涨价压力,也可能进一步蔓延至智能手机、笔记本电脑等更多消费电子产品。