JEDEC拟放宽下一代HBM厚度标准

行业层面，JEDEC正在讨论是否放宽下一代HBM的厚度标准，此次讨论涉及HBM4E和HBM5等需将DRAM堆叠至20层的产品，可能将厚度标准放宽至825~900微米甚至更高。当前HBM3E及之前的厚度标准为720微米，HBM4已提升至775微米，主要因堆叠层数增加，而随着下一代HBM堆叠层数提升至20层，现有技术已接近极限。此外，台积电下一代封装技术SoIC会使系统半导体与HBM结合后的整体厚度增加数十微米，英伟达、AWS等企业计划采用该技术，也推动了厚度标准放宽的讨论。业内人士表示，存储器供应商和晶圆代工企业均有放宽厚度标准的需求，虽最终决策尚未确定，但已引发广泛关注，且这一举措可能减缓混合键合等新一代键合工艺的导入速度，由于混合键合技术难度高、投资成本高，即便未来导入，热压键合（TCB）仍有望维持主流地位，因此业界普遍对放宽厚度标准持积极态度。