三星剑指2纳米制程，重构HBM逻辑据

三星剑指2纳米制程，重构HBM逻辑据

韩媒Money Today及ZDNet Korea报道，三星电子计划在下一代HBM4E的基础裸晶上采用先进的2纳米制程。

从HBM4开始，基础裸晶的角色发生质变，从单纯的控制功能扩展到直接处理部分运算任务。为了增强运算效率和能源管理，逻辑功能被大幅强化，促使基础裸晶转向更先进的晶圆代工制程。

此前，三星在HBM4中已采用1c DRAM制程，并由三星晶圆代工提供4纳米逻辑基础裸晶，领先于SK海力士HBM4基础裸晶所采用的台积电12纳米制程。而台积电和SK海力士也在积极布局，台积电计划在定制化产品中导入3纳米工艺。

三星此次评估的2纳米基础裸晶，旨在HBM4E阶段（预计2026年中推出标准版，下半年推进定制版）率先确立技术领先地位。业界普遍认为，真正的定制化HBM将从HBM4E正式登场，成为AI半导体竞争的关键节点。