存储器“至暗时刻”：DDR4谢幕延期，价格开启“跳增”模式

3月18日注定是存储器行业的历史性节点。除了美光（Micron）发布财报外，三星罢工投票结果也将揭晓。
1. DDR4大厂退出时间表生变：三星紧急延期
随着产能向HBM（高带宽内存）倾斜，DDR4正加速走向终结（EOL），但市场的剧烈反应迫使原厂调整策略。
三星 (Samsung)：原计划于2025年12月完成最后出货。然而，据韩媒《The Elec》最新报道，由于DDR4价格飙升且需求依然强劲，加上三星在HBM领域的获利贡献暂时不如竞争对手，三星已决定取消原定停产计划，将DDR4（特别是1z纳米工艺产品）的生产周期延长至2026年12月。这一“返工续命”的举动，恰恰印证了当前DDR4市场的缺货严重程度。
SK海力士 (SK Hynix)：维持2025年10月停止接单，2026年4月完成最后出货的计划。美光 (Micron)： 维持2025年6月发出停产通知，出货延续至2026年第一季的计划。尽管三星延期，但主流大厂全面淡出DDR4的大趋势未变，其稀缺性或将复刻当年MLC NAND的行情。
2. 供需失衡加剧，报价即将“Jump”
中国台湾存储器大厂南亚科总经理李培瑛指出，存储器供需失衡短期内难见改善。不仅本季价格逐月上扬，第二季报价更将出现“Jump（跳增）”，涨势预计持续至2028年下半年才可能缓解。
若以第二季涨价20%测算，南亚科单季EPS有望挑战13.86元，全年EPS看高至50元，远超机构此前预估。
注： 机构原先预期2026年下半年短缺更甚，但随着CXCC（长鑫存储）颗粒开始批量供货，供应状况有望在2026年下半年得到边际改善。
3. 市场应对：华擎推出支持DDR4与DDR5的“妖板”H610M COMBO II
面对DRAM价格持续上涨，不少玩家选择沿用DDR4内存而非升级DDR5平台。为迎合这一需求，华擎（ASRock）低调推出了第二款支持双规格内存的主板——H610M COMBO II。
规格变化： 相比前代H610M Combo（4组DDR5+2组DDR4），新款H610M COMBO II减少了内存插槽（2组DDR5+1组DDR4）和PCIe插槽，使尺寸更加小巧。
供电升级： 虽然插槽减少，但供电相数从3+1升级至6+1+1，提升了稳定性。
使用限制： 该主板虽同时具备DDR4与DDR5插槽，但无法同时使用，用户需二选一。单一DDR4插槽的设计意味着用户必须安装单条大容量内存，扩充弹性较低。
这款主板的出现，侧面反映了在存储器价格高企的当下，市场对“实用主义”和“过渡方案”的强烈需求。