三星豪赌2纳米，剑指英伟达供应链

在高端存储战场，一场关于未来的技术军备竞赛已全面打响。三星电子最新曝光的技术路线图显示，其正加速推进下一代高带宽存储器（HBM）布局，意图在人工智能时代占据主导地位。
据韩媒报道，三星存储器开发负责人黄尚俊（Hwang Sang-jun）在英伟达GTC大会上披露，三星计划将HBM5的基片工艺从4纳米直接升级至2纳米制程，并采用最新的1d DRAM作为核心堆叠存储。这一跨代升级旨在满足下一代AI工作负载对性能的极致追求，尽管成本将大幅上升，但这被视为通往高性能的必经之路。
产能方面，三星野心勃勃，计划今年让刚进入量产阶段的HBM4占其HBM总出货量的50%以上，整体HBM产量较去年提升逾三倍。此外，三星还通过代工业务切入AI加速器领域，为Groq生产推理芯片（LPU）。这款芯片面积巨大，片上集成大量SRAM，无需依赖外部HBM即可完成快速推理。
这一系列动作标志着三星正从单纯的存储供应商，向“存储+代工”的全栈式AI解决方案提供商转型。通过与英伟达生态系统的深度绑定，三星试图在激烈的市场竞争中构建起从内存到计算的完整护城河。