SK海力士押注台积电3纳米HBM4E,硬刚三星
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2026-03-20
AI芯片竞争白热化,HBM成为核心战场。SK海力士为扭转HBM4效能落后于三星的局面,计划在HBM4E中采用台积电3纳米逻辑芯片,全力反超。
当前HBM4市场,SK海力士凭英伟达供货量稳居第一,但技术稍逊;三星HBM4采用更先进制程,率先量产出货。SK海力士计划为HBM4E升级DRAM和逻辑芯片制程,适配英伟达Vera Rubin Ultra旗舰芯片。
三星也加速布局,已在GTC 2026亮相HBM4E;AMD、谷歌也计划采用HBM4E,市场竞争加剧。业内预计,HBM4E世代客制化市场将爆发,SK海力士将以3纳米制程作为主力。
美光的强势也利好三星、SK海力士,机构预计两者今年一季度营收、净利均将大幅增长。
当前HBM4市场,SK海力士凭英伟达供货量稳居第一,但技术稍逊;三星HBM4采用更先进制程,率先量产出货。SK海力士计划为HBM4E升级DRAM和逻辑芯片制程,适配英伟达Vera Rubin Ultra旗舰芯片。
三星也加速布局,已在GTC 2026亮相HBM4E;AMD、谷歌也计划采用HBM4E,市场竞争加剧。业内预计,HBM4E世代客制化市场将爆发,SK海力士将以3纳米制程作为主力。
美光的强势也利好三星、SK海力士,机构预计两者今年一季度营收、净利均将大幅增长。






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