大摩预警：传统NAND下半年缺口恐达40%，价格将暴涨200%

摩根士丹利（大摩）证券最新报告指出，旧世代MLC与TLC NAND在2026年下半年将面临严重供给短缺，缺口或达40%，传统闪存有望成为“下一个DDR4”。与当前DDR4情况不同，全球主要供应商持续缩减成熟制程NAND供给，导致结构性短缺加剧。
即便价格上涨，MLC NAND需求仍具韧性，核心得益于其比TLC/QLC更高的耐用性，且工业与企业应用对价格敏感度较低。大摩分析师颜志天预估，MLC及成熟制程TLC价格将从2026年第1季至第4季上涨超过200%，因此在存储器产业中，更偏好旧世代NAND优于DDR4。
台厂中，大摩最看好旺宏，认为其最能受益于此次供给短缺，将其列为存储器股首选；DRAM领域则看好爱普*具备新成长动能；力积电与美光合作后，预计2027年将转型为DDR4 8Gb与16Gb供应商。
反观DDR4市场，价格涨势至3月后遇阻，中小型客户反弹、供应商清库存，后续上行空间有限，大摩已将华邦电、南亚科评等降至“中立”。供给端，华邦电、南亚科、CXCC均计划扩充DDR4产能；需求端，价格高企影响消费需求，且DDR4无直接AI应用，难享AI红利。颜志天认为南亚科私募指向eSSD与交换器需求，并预测华邦电或跟进私募。