瑞银：DRAM缺货将持续至2027年末； 华邦电：DDR4、SLC NAND缺口较大
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2026-04-09
瑞银：DRAM缺货将持续至2027年末；
华邦电：DDR4、SLC NAND缺口较大；
创见：DDR4与Flash缺货严重；
潘健成：AI推论让NAND需求看不到天花板
AI浪潮席卷下，存储芯片行业迎来近三十年罕见的超级周期——DRAM、闪存（NAND）持续缺货，价格一路飙升，相关企业营收、股价双双爆发。从三寡头垄断格局到终端企业“追货”难，从SSD价格翻倍到内存股逆袭，这场周期盛宴背后，机遇与风险并存，一文读懂全貌。
核心定论：瑞银预警，DRAM缺货将持续至2027年末
存储芯片行业正站在历史性拐点，瑞银最新研报指出，这是近三十年来未曾出现过的存储超级周期，全球DRAM市场的供需缺口将延续至2027年第四季度。
核心逻辑在于“需求爆发+供给受限”的双重共振：AI驱动的HBM（高带宽内存）需求持续蚕食DDR产能，叠加传统服务器换机周期、存储SSD需求同步爆发，而DRAM市场已形成三星、SK海力士、美光三寡头格局，供应端缺乏“竞争性扩产”动力，价格上行压力将更持久。
在HBM领域，SK海力士占据绝对领导地位，尽管近期面临HBM4产品局部重新设计、出货量的市场担忧，但均不构成根本性威胁——目前其已接近完成重新设计，正推进英伟达Rubin平台认证，预计在该平台的市场份额将达60%。
出货量方面，SK海力士2026年HBM比特出货量预计达184亿Gb（同比增长46%），2027年达247亿Gb（同比增长34%），连续两年稳坐行业头把交椅。
瑞银大幅上调SK海力士盈利预测与目标价，将其12个月目标价从155万韩元上调至170万韩元，2026年、2027年每股盈利预测分别提升22%、29%，运营利润预测远超市场一致预期。
创见：客户天天追货，缺货难题2026年难解
中国台湾内存厂家创见董事长束崇万在法说会上明确表示，目前DRAM与NAND Flash仍处于严重缺货状态，客户几乎每天都在追货，与市场传言的价格松动不符，原厂供货满足率极低。
他指出，主要DRAM厂商未来一年内难以扩产，建厂及关键设备交期漫长，中国大陆存储器业者的扩产计划今年内也难以落地，预计2026年缺货状况难以改善。
应对短缺，创见采取选择性支持客户的策略，终端客户普遍通过降容、降规格应对涨价。财务数据显示，创见2026年第一季营收达136.3亿元，创单季新高，2025年全年盈利也实现大幅增长。
群联：营收狂飙221%，AI推论让NAND需求无天花板
中国台湾半导体厂家群联3月合并营收达183.17亿元新台币（以下同），月增50%、年增221%，刷新历史单月新高；第一季营收409.67亿元，年增196%，同步创下历史同期新高。
群联执行长潘健成表示，AI部署与AI推论应用加速落地，持续推升NAND储存需求，而NAND原厂扩产态度审慎，供给持续吃紧，价格上行趋势短期内难以缓解。其高阶客制化市场需求强劲，新品也带动客户追加订单。
南亚科：外资力挺，受益DDR4缺货红利
三星电子第二季DRAM价格再涨3成，带动内存族群反弹，中国台湾存储器厂南亚科表现突出。外资对其极为看好，大和证券大幅上修其获利预估，指出DDR4市场供给趋紧，未来一年恐明显缺货，而目前仅南亚科与三星具备量产能力，且南亚科已签署多年长约，确保中长期需求稳定。
AI需求的爆发不仅带动内存缺货，也让固态硬盘（SSD）价格大幅上涨，部分高效能型号涨幅近四倍。例如，西数Black SN850X 2TB固态硬盘价格从前年的173美元飙升至目前的649美元，机械硬盘价格也同步上扬。
根据PC Part Picker数据，NVMe固态硬盘价格从去年12月开始持续攀升，目前主流型号价格较数月前翻倍甚至三倍。全球NAND市场由三巨头主导，因AI训练需储存大量数据集，需求持续激增，而美光去年已退出消费级内存与SSD市场，进一步加剧供给紧张。
美光表示，其NAND需求量已大幅超出可预见未来的可用供应，NAND业务年度营收成长高达169%，AI需求正持续重塑存储硬件产业格局。
过去一年，内存股实现惊人反弹，美光涨幅约300%、闪迪近1400%，远超英伟达的60%，且两者暴涨后估值仍相对低廉——美光2027财年前瞻市盈率约3.7倍，闪迪约8倍。
股价暴涨但估值偏低的核心原因有三点：一是AI与数据中心需求推升存储器价格与毛利；二是存储器产业“繁荣—崩盘”的历史周期性，让投资者对当前获利持续性持保留态度；三是存在技术替代风险。
机构分析认为，美光直接受惠于HBM结构性需求，且已签订长期合约，估值存在重估空间；闪迪短期受益于SSD需求，但长期估值提升仍依赖相关技术推广。对于“AI热潮降温将导致内存泡沫破裂”的观点，机构反驳称，长期合约与数据中心扩张形成稳固需求基础，周期性将被缓和。
风险提示与投资关注要点
尽管存储芯片超级周期持续，仍需关注潜在风险：数据中心扩建延迟可能导致DRAM需求弱于预期；技术替代风险可能影响内存需求；行业周期性波动仍未完全消除。
投资者可重点关注三项关键指标：HBM等长期合约的进展与条款、DRAM/NAND价格走势及库存水位、压缩或替代技术的实际效益。总体而言，当前存储芯片行业机遇与风险并存，合约能见度与毛利稳定性是核心评估依据。
核心定论：瑞银预警，DRAM缺货将持续至2027年末
存储芯片行业正站在历史性拐点，瑞银最新研报指出，这是近三十年来未曾出现过的存储超级周期，全球DRAM市场的供需缺口将延续至2027年第四季度。
核心逻辑在于“需求爆发+供给受限”的双重共振：AI驱动的HBM（高带宽内存）需求持续蚕食DDR产能，叠加传统服务器换机周期、存储SSD需求同步爆发，而DRAM市场已形成三星、SK海力士、美光三寡头格局，供应端缺乏“竞争性扩产”动力，价格上行压力将更持久。
数据显示，到2026年底，全球DRAM前端HBM专属产能将达50万片/月（等效12英寸晶圆），占行业总产能的25%；2027年占比将升至31%，而中国以外的晶圆产能扩张几乎全部集中于HBM，常规DRAM新增供给极为有限。
巨头表现：SK海力士领跑HBM，盈利远超市场预期
出货量方面，SK海力士2026年HBM比特出货量预计达184亿Gb（同比增长46%），2027年达247亿Gb（同比增长34%），连续两年稳坐行业头把交椅。
瑞银大幅上调SK海力士盈利预测与目标价，将其12个月目标价从155万韩元上调至170万韩元，2026年、2027年每股盈利预测分别提升22%、29%，运营利润预测远超市场一致预期。
近期催化剂方面，SK海力士的ADR上市可能附带韩国市场股票回购计划，形成“双重利好”，瑞银预计，2026年4月24日前后（一季度业绩发布时点），相关行业数据将成为额外积极催化剂。
终端百态：缺货潮蔓延，企业营收大幅增长
华邦电：营收创历史新高，DDR4、SLC NAND缺口撑腰
内存市况回温下，中国台湾存储器厂华邦电3月合并营收达145.01亿元新台币（以下同），月增21.11%、年增91.49%，创单季历史新高；第一季合并营收382.53亿元，季增43.7%、年增91.34%，同样刷新纪录。
华邦电表示，DDR4供给缺口仍大，SLC NAND缺口更为明显，公司已追加扩产资本支出。机构研究显示，国际大厂持续淡出成熟DDR4以下产品制造，本季消费性DRAM合约价仍有望较上季上涨45%至50%。创见：客户天天追货，缺货难题2026年难解
中国台湾内存厂家创见董事长束崇万在法说会上明确表示，目前DRAM与NAND Flash仍处于严重缺货状态，客户几乎每天都在追货，与市场传言的价格松动不符，原厂供货满足率极低。
他指出，主要DRAM厂商未来一年内难以扩产，建厂及关键设备交期漫长，中国大陆存储器业者的扩产计划今年内也难以落地，预计2026年缺货状况难以改善。
应对短缺，创见采取选择性支持客户的策略，终端客户普遍通过降容、降规格应对涨价。财务数据显示，创见2026年第一季营收达136.3亿元，创单季新高，2025年全年盈利也实现大幅增长。
群联：营收狂飙221%，AI推论让NAND需求无天花板
中国台湾半导体厂家群联3月合并营收达183.17亿元新台币（以下同），月增50%、年增221%，刷新历史单月新高；第一季营收409.67亿元，年增196%，同步创下历史同期新高。
群联执行长潘健成表示，AI部署与AI推论应用加速落地，持续推升NAND储存需求，而NAND原厂扩产态度审慎，供给持续吃紧，价格上行趋势短期内难以缓解。其高阶客制化市场需求强劲，新品也带动客户追加订单。
南亚科：外资力挺，受益DDR4缺货红利
三星电子第二季DRAM价格再涨3成，带动内存族群反弹，中国台湾存储器厂南亚科表现突出。外资对其极为看好，大和证券大幅上修其获利预估，指出DDR4市场供给趋紧，未来一年恐明显缺货，而目前仅南亚科与三星具备量产能力，且南亚科已签署多年长约，确保中长期需求稳定。
南亚科3月及第一季营收均大幅增长，营业利益较去年同期亏转盈，均超出市场预期。
连锁反应：SSD、HDD价格飙升，消费市场受挤压
根据PC Part Picker数据，NVMe固态硬盘价格从去年12月开始持续攀升，目前主流型号价格较数月前翻倍甚至三倍。全球NAND市场由三巨头主导，因AI训练需储存大量数据集，需求持续激增，而美光去年已退出消费级内存与SSD市场，进一步加剧供给紧张。
美光表示，其NAND需求量已大幅超出可预见未来的可用供应，NAND业务年度营收成长高达169%，AI需求正持续重塑存储硬件产业格局。
内存股逆袭：暴涨之后，估值仍有修复空间？
股价暴涨但估值偏低的核心原因有三点：一是AI与数据中心需求推升存储器价格与毛利；二是存储器产业“繁荣—崩盘”的历史周期性，让投资者对当前获利持续性持保留态度；三是存在技术替代风险。
机构分析认为，美光直接受惠于HBM结构性需求，且已签订长期合约，估值存在重估空间；闪迪短期受益于SSD需求，但长期估值提升仍依赖相关技术推广。对于“AI热潮降温将导致内存泡沫破裂”的观点，机构反驳称，长期合约与数据中心扩张形成稳固需求基础，周期性将被缓和。
风险提示与投资关注要点
尽管存储芯片超级周期持续，仍需关注潜在风险：数据中心扩建延迟可能导致DRAM需求弱于预期；技术替代风险可能影响内存需求；行业周期性波动仍未完全消除。
投资者可重点关注三项关键指标：HBM等长期合约的进展与条款、DRAM/NAND价格走势及库存水位、压缩或替代技术的实际效益。总体而言，当前存储芯片行业机遇与风险并存，合约能见度与毛利稳定性是核心评估依据。
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