CXCC量产HBM? 急追韩系龙头

中国大陆半导体国产替代加速下，存储芯片龙头CXCC已启动12层堆叠HBM的大规模生产，标志着其具备高端AI硬件生产能力，与三星、SK海力士的技术差距大幅缩小。
CXCC自2023年进入HBM领域，仅用三年实现12层堆叠技术突破。受美国EUV设备出口限制，CXCC与北方华创、中微公司等大陆设备商合作，研发专用设备实现技术突破，彰显本土半导体实力。
CXCC 2024年量产DDR5 DRAM，2025年下半年良率突破80%，去年底已向华为等客户交付HBM3样品，预计2026年全面量产。目前其将20% DRAM产能投入HBM制造，月晶圆产能可达6万片，现阶段聚焦国内AI市场需求。
CXCC正计划通过IPO募集42亿美元，用于新建HBM生产设施及技术升级，核心设施预计2026年建成。产业专家预测，16层堆叠与混合键合技术将成为其未来重点突破方向。