CJC扩产+跨足DRAM，直逼国际三强

中国存储器厂商CJC正加速自主化布局，启动新一轮扩产计划。目前CJC在武汉有两座晶圆厂，月产能合计约20万片；第三座厂房已完工装机，预计2026年投产，后续还规划两座单座月产能10万片的新厂，全面投产后产能将翻倍。
CJC成立于2016年，是中国主要NAND闪存制造商，产品涵盖3D NAND芯片与SSD，应用于智能手机、PC及数据中心等领域，其自研“Xtacking”架构有效缩小了与国际大厂的差距。更值得关注的是，CJC正规划跨足DRAM领域，二者结合将提升其在全球供应链的完整性，适配AI服务器需求。
业界认为，CJC扩产不会冲击NAND供需。半导体扩产需2至3年才能释放产能，且AI带动NAND需求倍数增长，三星、SK海力士等国际原厂扩产审慎，优先布局高毛利DRAM，导致NAND供给受限。此外，CJC新增产能优先供应内需，对全球格局影响有限，2026至2027年NAND供不应求格局将持续。