三星 1d DRAM 量产计划喊停，HBM5E 研发恐受拖累

据韩媒 IT Chosun 引述业界消息，三星电子已正式撤回 10 纳米级第七代 1d DRAM 的原定量产计划。这一消息引发行业广泛担忧，因为 1d DRAM 技术是三星下一代 HBM5E 高带宽存储器的基础，量产推迟很可能导致 HBM5E 上市时间延误。
目前三星尚未官方确认，但业内普遍认为良率未达标是主要原因。1d DRAM 采用更先进制程，技术难度大幅提升，若三星无法及时解决问题，将同时削弱其在传统 DRAM 和 HBM 核心赛道的竞争力，给英伟达等主要客户带来潜在供应风险。