另辟蹊径！联电携手钰创深耕2D NAND，靠特殊制程突围市场

逆势布局：应对NAND价格下滑，聚焦特殊制程赛道
面对NAND价格持续下滑，中国台湾半导体厂联电携手钰创推进2D NAND和NOR Flash制程研发，计划将技术转移至中国台湾12英寸晶圆厂USJC，2026年完成45/40纳米MLC NAND技术开发，2027年量产，助力IP授权业务突破。
细分赛道有优势：2D NAND并非过时，应用场景不可替代
尽管3D NAND为主流，但2D NAND和NOR Flash在低功耗、高可靠性上优势明显，适合物联网、汽车电子等场景。业内认为，二者凭借低门槛、高性价比，成为中小企业首选，联电此举可摆脱主流赛道依赖，满足多样化市场需求。
合作基础深厚：长期携手，持续深耕存储技术
联电与钰创合作已久，2013年起钰创多项存储技术陆续导入联电不同制程，长期磨合为此次合作奠定基础，双方在存储领域的技术储备的深度合作，成为项目推进的核心支撑。
配套举措加持：下调代工价格，未来规划值得期待
联电近期下调28纳米制程代工价格，吸引客户采用其特殊制程技术。目前联电未披露更多合作规划，但钰创已明确合作意愿，业内预计联电将在近期法说会上进一步说明相关细节。