突发卡关！三星HBM5E无限期延后量产，D1d DRAM良率拖垮AI内存布局

良率未达标：10纳米D1d DRAM成最大绊脚石
AI芯片存储器竞赛中，三星遭遇重大挫折。据韩媒IT Chosun报道，因10纳米制程D1d DRAM良率未达预期，三星已无限期推迟HBM5E量产。该技术虽取得试产前批准，但良率不足导致投资回报率存疑，三星计划待良率达标再重启量产，目前正全面检视制程蓝图。
影响深远：D1d卡关，波及三星多代HBM产品布局
D1d DRAM是HBM5E的核心技术，而当前1c DRAM可支撑HBM4、HBM4E、HBM5量产，HBM5E则必须依赖D1d稳定供应，此次卡关将影响三星后续产品布局。据悉，HBM4将于2026年晚些时候推出，搭载于英伟达、AMD相关平台，D1d滞后可能让三星错失高端市场先机。
研发与生产脱节：缩短开发周期难掩量产瓶颈
三星虽大幅缩短HBM开发周期，但量产环节成为瓶颈。目前其正斥资在韩国温阳兴建芯片厂，专注次世代DRAM及HBM生产。更严峻的是，老对手SK海力士已攻克D1d技术并确保良率，双方正全力争夺顶尖AI公司订单，良率与投资回报率成为竞争关键。