力积电前瞻：DRAM短缺持续至下半年，NAND迈入MLC时代

中国台湾半导体厂力积电表示，内存供给缺口将持续至2026年下半年。尽管近期有中小型DRAM业者抛货、谷歌发布省内存算法等杂音，但微软、谷歌等AI企业已与DRAM大厂签订3年长期合约，长期供需紧张格局未变。
DRAM领域，力积电3月调高代工价，6月起对营收产生贡献；与美光合作的1P制程已启动开发，2028年下半年量产。NAND领域，韩系大厂淡出SLC市场致其涨价，力积电4月调高代工价，同时推进24纳米MLC开发，年底前完成制程，2027年上半年试产。