台积电冲刺1纳米与三星深耕2纳米，先进制程战略分野

在全球晶圆代工领域，中国台湾半导体厂家台积电与韩国三星电子在先进制程的发展蓝图上展现出截然不同的战略规划，预示着两大巨头的竞争将进入一个新的分水岭。台积电近期在第一季财报会议与北美技术论坛上释出了激进的蓝图，预计于2027年正式迈入1纳米等级的先进制程量产，首发为A16（即1.6纳米）制程。随后，台积电计划于2028年量产A14制程，并于2029年推出A13制程。值得注意的是，台积电还计划于2029年量产新一代A12制程，该制程将专为AI与高效能运算（HPC）产业量身打造，并导入背面供电网络技术（BSPDN）“超级电轨（Super Power Rail）”技术，将供电区域移至晶圆背面，以进一步强化技术优势。
相比之下，竞争对手三星电子的战略则显得相对谨慎和务实。过去三星曾将制程微缩视为首要任务，并在2022年领先全球量产基于环绕闸极（GAA）架构的3纳米制程。然而，在2025年的“SAFE论坛”上，三星将1.4纳米（SF1.4）的量产目标时程从原订的2027年延后约两年至2029年。这意味着三星不再勉强提早跨入1纳米领域，而是选择将重心转移至现有2纳米等制程的优化与升级。业界预期，在即将于2026年5月底在美国举办的SAFE论坛上，三星将发表以2纳米制程为核心的重点战略。系统半导体业界相关人士指出，考虑到确保内外部客户订单后，2纳米制程的使用率预期将大幅攀升，因此三星现阶段正全力将资源集中于2纳米的制程优化以及良率改善，以应对激烈的市场竞争。