先进制程博弈：台积电冲刺1纳米，三星深耕2纳米良率

在AI芯片需求的推动下，全球晶圆代工两大巨头台积电与三星电子，在先进制程领域呈现出截然不同的战略布局，一场关于1纳米、2纳米制程的争霸赛正式拉开帷幕。
中国台湾半导体厂台积电展现出激进的推进姿态，根据其近期发布的发展蓝图，计划于2027年正式迈入1纳米等级先进制程量产，首发为A16（即1.6纳米）制程，随后于2028年量产A14制程，2029年推出A13制程与A12制程。其中，A13制程相较于A14可缩减6%的芯片面积，并通过设计技术协同优化（DTCO）进一步提升能源效率与效能；A12制程则为A14的强化版，专为AI与高效能运算（HPC）产业量身打造，将导入背面供电网络技术（BSPDN）“超级电轨”技术，把供电区域移至晶圆背面，进一步强化技术优势。
与台积电的积极推进不同，三星电子的策略则更为谨慎。此前，三星曾领先全球量产基于环绕闸极（GAA）架构的3纳米制程，但在2025年的“SAFE论坛”上，其将1.4纳米（SF1.4）的量产目标时程从2027年延后约两年至2029年。业界预期，在2026年5月底于美国举办的SAFE论坛上，三星将发表以2纳米制程为核心的重点战略，现阶段正全力将资源集中于2纳米制程的优化与良率改善，确保内外部客户订单后，提升2纳米制程的使用率。
两大巨头的战略分歧，本质上是对先进制程发展节奏的不同判断。台积电凭借稳定的良率与客户资源，选择加速冲刺1纳米，巩固其在晶圆代工领域的领先地位；而三星则在经历3纳米制程的良率挑战后，选择先夯实2纳米技术基础，再逐步向1纳米迈进，避免盲目追求制程微缩而影响产品稳定性与盈利能力。