HBM争霸：供应短缺推高价格，SK海力士验证了12芯片混合型结合HBM堆栈，技术突破加速

作为AI芯片的“核心粮仓”，HBM（高带宽存储器）的供需失衡成为半导体行业的核心矛盾之一。随着三星、SK海力士、美光三大厂商将更多产能转向HBM，大宗商品DRAM供应持续短缺，价格飙升态势超出市场预期，而HBM市场的技术竞赛也日趋白热化。
市场调研机构数据显示，原本预计今年一季度大宗商品DRAM价格上涨55%至60%，最终上调至90%至95%，较此前展望高出35个百分点；预计二季度将进一步上涨58%–63%，价格回升态势从降温转为持续攀升。核心原因在于，三星、SK海力士作为全球70%以上DRAM的供应商，将大量DRAM产能固定为“HBM专用”，导致大宗商品DRAM供应难以满足市场需求，即便其利润率已超过高附加值HBM的四到五倍。
HBM对总DRAM产能的影响持续扩大。美光此前指出，HBM生产消耗的DRAM产能约是DDR5的三倍，而随着HBM技术的不断升级，消耗的DRAM资源更多，流程周期也进一步延长，难以像大宗商品DRAM那样灵活应对市场需求。尽管大宗商品DRAM价格飙升，但三星、SK海力士仍难以降低HBM的产能占比——两家企业正争夺HBM4市场领导地位，已与英伟达、博通和OpenAI等关键客户签订长期合同，HBM带来的中长期稳定收入，让其不得不接受“短期利润损失”，持续加大HBM投入。
在HBM技术领域，SK海力士展现出领先优势。该公司近期宣布，已验证了12芯片混合型结合HBM堆栈的混合键合技术，这种先进封装技术无需依赖凸起，可直接连接存储层，减少热量产生，实现更高速度和效率，将应用于下一代HBM4存储芯片。SK海力士技术负责人金钟勋表示，目前正努力将该技术的良率提升至适合大规模生产的水平，准备工作比以往更为顺利。
混合键合技术的突破，成为解决HBM存储危机的关键。随着HBM4、HBM5等下一代产品对层数和性能要求的提升，混合键合能够在保持封装大小不变的情况下，叠加更多存储层，满足AI芯片对高带宽、高容量的需求。不过，经济性仍是当前的主要障碍，SK海力士计划在全面采用混合键合之前，继续采用MR-MUF（质量回流成型底填充）技术，满足最高16层HBM3E产品的生产需求。
市场格局方面，SK海力士已巩固HBM市场的领导地位，目前占据57%的市场份额，并因HBM技术荣获IEEE企业创新奖，成为首家获此殊荣的存储企业。为进一步扩大优势，SK海力士计划在美国印第安纳州投资39亿美元建设先进芯片封装工厂，下一代HBM4E的批量生产计划于2027年实现。