三星制程突破：4nm良率超80%，正面抗衡台积电

韩国媒体报道显示，三星4nm FinFET制程良率已提升至80%以上，正式进入成熟阶段，大幅提升其Foundry竞争力，得以与中国台湾半导体厂台积电正面对决，更好满足全球大科技公司尤其是AI领域的芯片需求。
三星平泽园区是此次突破的核心阵地，该园区同时生产5nm及7nm芯片，目前已准备好供应4nm芯片，应用于AI加速器、汽车及移动科技领域，还可用作第六代HBM4内存芯片的基底芯片。此次良率突破有望帮助三星Foundry减轻存储芯片价格波动冲击，2026年下半年或重返获利轨道。