三星创纪录盈利：AI驱动业绩暴涨，警告2027内存短缺加剧

在人工智能需求的爆炸式增长推动下，三星电子交出了有史以来最亮眼的季度成绩单，同时释放出内存市场长期紧张的强烈信号。2026年3月30日，三星电子在第一季度财报电话会议上公布，合并销售额达133.87万亿韩元，营业利润57.23万亿韩元，季度销售额同比激增43%，营业利润更是飙升185%，创下历史新高。

业绩爆发的核心驱动力来自半导体（DS）部门，该部门创下81.7万亿韩元的营收新高，营业利润达53.7万亿韩元，占三星总营业利润的93.8%。三星电子表示，随着AI基础设施扩展和代理AI的早期需求，服务器DRAM和SSD需求激增，高附加值产品销售增长和价格上涨共同推动了业绩改善。值得注意的是，三星半导体部门的利润率达到65.7%，略高于英伟达的65%，成为全球业绩第二高的半导体公司，仅次于英伟达。

面对持续旺盛的AI需求，三星正加速布局下一代内存产品，计划从2026年第二季度开始，向主要客户供应第七代高带宽存储器“HBM4E”样品。更值得警惕的是，三星特别强调，部分客户已提前锁定2027年的货量，基于目前的订单情况，2027年内存供需将比2026年更为紧张，内存市场已超越短期繁荣，进入结构性供应短缺阶段。

为应对这一趋势，三星正调整供应策略，聚焦“长期协议（LTA）”，通过更具约束力的协议提升投资和产能运营的可见度，目前已有部分客户签订相关合同。同时，三星围绕人工智能重组业务，加快下一代移动AP“Exynos 2700”开发，晶圆厂聚焦HBM4对2纳米工艺和基模的需求，还在开发结合先进工艺与三维封装的“全封装”技术，计划2026年下半年量产光通信模块。

在业务调整中，三星对低盈利能力的成熟节点进行大胆重组，逐步淘汰8英寸PMIC和DDI系列，将部分DDI和CIS产品转向17纳米工艺，聚焦高附加值专用产品。设施投资方面，三星保持扩张姿态，第一季度投资11.2万亿韩元，全年资本支出预计较去年大幅增长，同时借助新收购的“Flakt”，瞄准2030年年均增长24%的全球数据中心冷却市场。

值得关注的是，三星在内存产品布局上保持理性，并未因短期通用DRAM盈利能力超过HBM而盲目调整。三星表示，通用DRAM的盈利能力逆转源于季度谈判特性，未来HBM市场谈判环境改善后，盈利差距将缩小，若一味追求短期盈利增加通用DRAM份额，可能扰乱AI基础设施市场，因此将维持DRAM生产结构的平衡。此外，第一季度三星HBM销量较去年同期增长三倍多，得益于1c工艺DRAM技术的应用，HBM4产品性能提升并获得客户积极采用，预计第三季度HBM4将占HBM总销量的一半以上。

不过，三星也面临隐忧，其对内存芯片的依赖日益增加，LSI和代工部门仍处于亏损状态，据证券公司估计，非存储业务部门亏损约1万亿韩元。好在三星第一季度研发投入达11.3万亿韩元，较去年增长26%，预计下半年随着2纳米大规模订单扩大和4纳米AI产品量产，非存储业务将有所改善。此外，三星移动、显示和家电部门也面临不同挑战，MX部门虽因Galaxy S26系列发布保持盈利，但预计第二季度盈利能力将不可避免下降；显示部门销量同比下降14%；家电部门则从亏损转为盈利，实现2000亿韩元营业利润。