英特尔ZAM内存技术挑战HBM，频宽容量均具优势

在高带宽存储器（HBM）几乎垄断AI加速器与GPU内存市场的背景下，英特尔正全力投入研发Z-Angle Memory（ZAM）技术，试图挑战HBM的主流地位。
作为高频宽、高容量市场的重要创新，ZAM技术由英特尔与软银共同开发，目标是为AI市场提供低功耗、高密度的解决方案。根据最新信息，ZAM内存的频宽预计将达到HBM4的两倍，并可与预计次世代HBM4E相媲美。ZAM预计在2028年至2030年间进入量产阶段。
在架构设计上，ZAM采用9层堆叠设计，其中单一堆叠包含8层DRAM，每层之间仅有3微米硅基板，并由主基板上的单一逻辑控制器统一管理。该技术包含三层主要的硅穿孔（TSV）结构，每层透过混合键合配置1.37万个互连路径。在容量与效能方面，ZAM每层提供1.125GB容量，使单一堆叠达到10GB，整体封装可达30GB。
ZAM的主要优势包括：
极高频宽密度：约0.25 Tb/s/mm²，显著高于HBM；更低功耗：针对数据传输能耗进行优化；更佳散热管理：垂直架构降低热累积；更高堆叠潜力：支持9层以上堆叠，采用3μm超薄硅基板；先进互连技术：包含磁场耦合无线I/O与混合键合；AI工作负载优化：针对生成式AI的内存瓶颈设计。ZAM的最终目标是透过3.5D封装技术实现高密度3D内存整合，将高频宽大容量内存、电源与接地轨、硅光子及传统I/O整合于单一基板上。