决战千层堆叠：铠侠闪迪联手突围，三星押注铁电NAND

在存储技术的最前沿，一场关于“高度”的竞赛正在悄然升级。据业内消息披露，铠侠与闪迪（西数）在超高密度堆叠技术上取得了关键性突破，为3D NAND闪存向300层乃至1000层规格迭代奠定了坚实基础。
双方通过创新的晶圆间铜直接键合工艺，结合MSA-CBA多层堆叠单元阵列架构，成功完成了QLC四级单元技术的演示。这一技术路径清晰地展示了如何将双片218字线阵列晶圆堆叠成型，有效解决了长期制约3D NAND扩容的三大难题：存储单元电流衰减、制造过程中的晶圆翘曲以及区块尺寸设计受限。据悉，这项突破性成果计划于2026年夏威夷VLSI超大规模集成电路研讨会上正式发布。按照规划，到2027年，双方有望实现千层3D NAND的量产，裸片密度将达到惊人的100Gbit/mm²。
面对竞争对手的攻势，三星电子亦未雨绸缪，稳步推进其千层3D NAND布局。三星推出的多BV NAND架构，采用双单元晶圆叠加双周边晶圆的堆叠方式，其技术逻辑与铠侠方案高度相似。行业普遍认为，单片晶圆的物理极限约为500层，多晶圆异构堆叠已成为冲击千层门槛的必由之路。三星计划在2030年实现千层NAND的商用。
此外，三星还在同步布局下一代铁电NAND技术。通过与英伟达及高校合作研发PINO AI仿真模型，三星将性能模拟效率提升了万倍级别。铁电NAND不仅能支持千层堆叠，更可将功耗降低96%，有望在兼顾产能扩容的同时满足绿色节能需求，成为后千层时代的重要技术方向。