架构大战开打！三星押注GAAFET，SK海力士主攻垂直堆叠

AI需求的持续爆发，推动下一代DRAM技术竞赛进入白热化阶段。目前，三星与SK海力士两大巨头正采取截然不同的技术路线，全力争夺下一代DRAM标准制定权，试图在未来AI存储市场占据主导地位，这场技术较量将直接决定全球内存产业的发展方向。
DRAM需同时整合晶体管与电容储存数据，这是其技术升级的核心瓶颈。随着制程微缩，有限空间内维持足够电容难度剧增，3D DRAM成为行业主流，但先进制造技术也带来元件干扰风险，新架构研发愈发关键。
三星押注GAAFET技术，正研发16层垂直堆叠DRAM并尝试将其导入。GAAFET技术应用于逻辑芯片，可提升电流控制能力，但DRAM需额外整合电容，需在单一单元内整合两者，难度较大。
为解决这一难题，消息人士透露，三星考虑采用类似NAND闪存的设计方式，将负责读写控制等功能的周边电路放置于存储器阵列下方，借此释放更多空间，提升内存密度，从而实现GAAFET技术与电容结构的有效整合。这种设计思路借鉴了NAND闪存的成熟经验，有望突破当前DRAM制程微缩的瓶颈。
与三星不同，SK海力士则将重点放在了“4F²”架构上，正全力测试这一新技术。该架构采用垂直堆叠晶体管的方式，并以闸极材料包覆柱状晶体管，本质上与GAAFET概念类似，但在结构设计上有所区别——负责接收电容数据的组件被配置于晶体管柱下方。4F²结构作为存储单元垂直化的关键技术方案，可使单个存储单元的面积缩减约三分之一，为DRAM的高密度集成奠定基础，也是3D DRAM发展的重要突破口。
业界人士表示，三星与SK海力士目前都在全力推动自身技术获得行业认可，谁能率先将自家架构确立为下一代DRAM的主流标准，谁就有机会在AI时代进一步扩大在HBM与高阶存储器市场的话语权，这场技术战的背后，是两大巨头对AI存储市场主导权的激烈争夺。