三星、金士顿等厂商本月已两轮提价，每次涨幅超10%

群联的爆发，离不开全球储存芯片市场的结构性短缺。2026年Q1，消费电子存储价格环比暴涨超60%，NAND闪存涨幅突破70%，创近年单季新高，三星、金士顿等厂商本月已两轮提价，每次涨幅超10%，低端手机内存成本占比从20%飙升至近40%，“千元机时代”逐渐终结。
这场短缺的根源的是AI驱动的供需失衡。单台AI服务器的DRAM用量是传统服务器的8倍，NAND用量是3倍，而四大科技巨头2026年将投入7000亿美元建设数据中心，数以百万计的AI服务器持续吞噬储存芯片。供给端，三大厂商将18%-28%的DRAM产能转向利润更高的HBM，每造一颗HBM需消耗3-4颗普通内存产能，且扩产周期长达2-3年，现有产能仅能覆盖60%需求，业内共识是短缺至少持续至2027年，HBM紧张可能延续至2030年。