苟嘉章：DRAM和NAND均呈持续上升态势，NAND缺口将持续至2028年

核心判断：NAND缺口持续至2028年，涨价趋势不可逆
AI浪潮席卷全球，半导体存储市场正经历前所未有的产能重构与供需失衡。中国台湾半导体设计公司慧荣科技总经理苟嘉章近期在多场公开场合发声，详解当前内存市场格局，明确指出NAND Flash供给缺口将持续至2028年，下半年价格虽涨幅放缓，但上升趋势不可逆转。
产能倾斜：HBM与DRAM优先级凸显，NAND被挤压
作为存储控制芯片领域的核心企业负责人，苟嘉章的判断直接折射出全球存储产业的真实态势。他表示，当前三星、SK海力士、美光三大内存原厂，在产能分配上明显向HBM（高带宽内存）与DRAM倾斜，而非NAND Flash——核心原因在于前者的产值与获利能力远高于后者，尤其在英伟达持续推进HBM应用的背景下，DRAM晶圆资源被进一步消耗，DDR5市场的缺货问题更为突出。
扩产困境：周期长达2-3年，新产能2028年才显效
产能扩张滞后，是NAND缺口难以缓解的关键症结。苟嘉章分析，半导体工厂扩产绝非易事，从土地取得、无尘室建设，到设备交期与装机调校，整个周期长达2~3年。即便现在投入资本支出，也无法立即缓解供需压力。2026年NAND的位成长率约为20%，但AI对数据存储的需求呈现指数级增长，供需紧张的局面难以改善，预计要到2028年才会有较明显的新产能释放。
行业应对：长期供货合约成常态，锁定产能保稳定
在产能吃紧与投资周期长、成本高的双重压力下，行业已形成新的合作模式——业者纷纷签订3至5年的长期供货合约，以此确保设备利用率与营运稳定。尤其是北美云端服务供应商（CSP），今年合计资本支出将达7250亿美元，明年有望增至9000亿美元，为锁定产能，大厂与大客户之间的长期合约已成为常态。
需求爆发：AI推论主导，KV Cache推升存储需求
AI市场的结构性变化，进一步加剧了存储需求的爆发。苟嘉章强调，2026年AI市场的资本投入重心已从训练转向推论，且仍由英伟达主导这一市场。AI推论过程中，KV Cache（键值快取）的容量需求快速放大，需要持续保留特定主题相关数据以降低重复抓取成本，这直接推动了对高速、大容量NAND存储的需求，也让存储设备（含SSD与HDD）全面缺货。
价格趋势：NAND稳涨、DRAM分化，涨幅趋于平缓
关于市场最关心的价格趋势，苟嘉章给出明确判断：目前OEM合约价格与现货价虽有差异，但均呈持续上升态势。下半年NAND价格的涨幅不会像2025年9月以来那般凶猛，但“绝对会一路再上升”，核心原因是产能缺口短期内无法填补。而DRAM市场则呈现分化，DDR4价格更多是代理商炒作，DDR5则会持续缺货。
产业链影响：消费电子两极分化，苹果优势凸显
内存市场的供需失衡，也引发了产业链的连锁反应。苟嘉章观察到，存储器价格高涨已影响产业均衡发展，部分手机、电脑厂商因无法承受高昂成本陷入困境，而苹果凭借强大的采购优势，在平价产品定价上持续发力，预期其在手机与PC市场的市占率将出现跳跃式成长。
车用危机：旧世代内存缺货，车厂面临断链风险
车用市场则面临更为严峻的断链危机。随着电动车与智能座舱的普及，车用内存需求攀升，但内存大厂将产能转向利润更高的先进制程与AI产品，不再愿意生产利润微薄的旧世代车用内存，导致车厂库存水位预计在2026年第2至3季见底，行业普遍陷入缺货焦虑。
行业红利：内存原厂毛利率飙升，HBM格局将生变
值得关注的是，内存原厂正迎来罕见的高毛利时代。苟嘉章透露，当前存储器公司的毛利率高达70%至80%，甚至让台积电都感到眼红，其中SK海力士因率先获得英伟达青睐，在HBM市场占据领先地位，其员工分红首度超越三星。不过他预期，待HBM4世代来临，三星凭借产能与规模优势，有望回归HBM市场龙头地位。
国产化展望：CJCC突破瓶颈，2030年有望登顶
在国产化进程方面，苟嘉章对CJCC的进展给予肯定。他表示，CJCC已突破高堆叠设备瓶颈，通过国产设备与其他机台混合使用取得不错进展，若能维持每年50%的复合成长率，到2030年有望拿下全球近40%的NAND市占率，跃居全球龙头。他同时指出，在供需吃紧的环境下，CJCC将拥有足够的国际客户。
此外，苟嘉章还点出了中国台湾半导体产业的隐忧——严重的人才荒。NVIDIA、AMD等国际巨头纷纷来台设研发中心，以优渥条件挖角，给本土企业带来巨大压力，而慧荣科技正通过兴建新总部大楼，稳定军心、吸引人才。
对于行业未来的风险，苟嘉章也发出警示：CSP大厂的大规模AI基建投资难以长期维持，预计2028至2030年间可能出现需求断崖式下跌，内存供应商需提前为产能找出海口。而当前行业已陷入“死胡同”：CSP愿意高价抢产能，而消费电子厂商难以承受成本，这种两极化发展将持续考验各家企业的生存战略。