三星加码HBM布局：温阳新厂年内建成，产能扩张应对需求

面对全球HBM需求的激增，三星电子正推进封装双轨化战略，计划年内完成温阳新工厂建设，明年起正式引入设备，专门用于HBM的先进封装生产，以缓解天安工厂的产能压力，同时将温阳现有通用DRAM封装产线迁至越南。
据悉，温阳新厂将部署基于硅通孔（TSV）技术的先进封装生产线，而HBM作为高附加值产品，需经过DRAM前工序后，再通过TSV打孔、垂直堆叠和热压接合等封装流程。目前三星在平泽工厂完成DRAM前工序，天安工厂负责封装，随着HBM需求暴涨，三星正加速平泽4工厂（P4）建设，并计划于下半年启动平泽5工厂（P5）一期工程。
平泽P4和P5的部分产线将用于生产第六代HBM4所需的1c纳米DRAM，为匹配前工序扩产，三星必须扩大TSV封装产能。由于天安工厂的C1、C2、C3产线已处于满负荷运行状态，无法进一步扩充，空间更充足的温阳成为扩建首选。三星计划将天安部分先进封装人员调至温阳，同时将温阳通用DRAM封装人员迁至越南，分5年逐步实现产品封装双轨化，目前人员转移尚未实际启动。
越南工厂初期将派遣大量韩国员工设置产线，后续逐步提升本地员工比例。市场数据显示，三星今年HBM销售额预计同比增长超过三倍，2月量产出货的HBM4将于下半年扩大供应，第三季度起占公司HBM总销售额的一半以上，且今年HBM4订单已全部售罄，三星计划将HBM产能较去年扩大约50%，以应对全球旺盛需求。