imec展示3D CCD新架构，剑指CXL内存

在商业博弈与技术迭代的双重推动下，底层技术的创新也在悄然发生。比利时微电子研究中心（imec）在2026年IEEE国际存储器研讨会上，展示了全球首款实现3D设计的电荷耦合元件（CCD）内存组件。
这款新型组件采用了氧化铟镓锌（IGZO）通道，旨在解决DRAM在AI时代面临的挑战。imec研究人员表示，该3D CCD组件专为区块级数据访问设计，非常适合现代AI工作负载，有望成为CXL Type 3缓冲存储器的理想选择。相比于传统的DRAM，这种新技术在制造上可以借镜3D NAND的成熟工艺，具备超高的位元密度和更低的功耗。
随着AI对内存带宽和容量的需求呈指数级增长，传统的冯·诺依曼架构正面临瓶颈。imec的这一突破，预示着未来内存技术将不再局限于单纯的容量堆砌，而是通过架构革新，在存算一体和近内存计算领域开辟新的战场。