英特尔杀招曝光！ZAM内存剑指HBM4，性能直逼英伟达平台标准

英特尔在内存领域亮出杀招，其支持的零角存储器（ZAM）技术细节曝光，这款“HBM杀手”采用九层垂直堆叠结构，单模块最高9GB DRAM容量，带宽接近英伟达Vera Rubin平台的HBM4，有望重塑AI内存市场。
据VLSI会议论文显示，ZAM包含八层DRAM存储层，每层1.125GB，总内存约9GB，通过三条TSV贯穿连接，英特尔的融合键合技术保障了连接的高精度。
ZAM核心优势是超高带宽与低功耗，带宽约2.5 TBps，接近HBM4性能，可直接与英伟达偏好的内存标准竞争。
目前ZAM由软银子公司Saimemory主导商业化，尚未展示工作原型，量产难度大且面临HBM4成熟供应链的竞争，六月VLSI会议将决定其能否落地。