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花旗预言DRAM均价明年同比狂飙200%,高盛预计2026年DRAM涨幅达250%-280%

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2026-05-20
花旗预言DRAM均价明年同比狂飙200%,NAND价格同比上涨约186%;
高盛预计2026年DRAM涨幅达250%-280%,NAND闪存涨幅达200%-250%

在人工智能算力需求爆发、HBM产能持续紧缺的双重驱动下,全球存储芯片行业正迎来史无前例的超级景气周期。近期花旗等顶级机构密集上调美光、闪迪等龙头标的目标价,叠加DRAM、NAND闪存价格持续跳涨,AI推理时代下存储已从算力配套组件升级为核心瓶颈。本文梳理机构最新研判、涨价逻辑、供需格局及行业估值重构趋势,解读本轮存储超级周期的核心机遇与潜在风险。

一、花旗重磅上调评级:预言DRAM均价明年同比狂飙200%,NAND价格同比上涨约186%;美光目标价飙至840美元,盈利迎来爆发
花旗近期发布重磅研报,将美光目标价从425美元大幅上调至840美元,涨幅接近翻倍,维持“买入”评级,锚定2027年每股收益的8倍估值,同时预测其2027财年核心每股收益将突破百元,达到104.56美元。
上调核心逻辑直指DRAM超级涨价周期:三星已于2026年第一季度率先将DRAM价格上调100%,美光计划在第二季度跟进提价超40%。花旗测算,2026年DRAM平均售价将同比飙升200%,NAND闪存均价同比上涨186%,行业价格弹性全面释放。
盈利层面,花旗同步上调美光盈利预期,2026财年核心每股收益上调10%至58.46美元,2027财年进一步冲高;预计2027财年自由现金流达879.31亿美元,自由现金流收益率约10.6%,充分验证存储龙头的盈利兑现能力。

二、供给端刚性紧缺:HBM产能受限,挤压通用存储供给

本轮存储涨价的底层核心,是供给端结构性紧缺,其中HBM(高带宽内存)供需失衡最为突出。
生产HBM的晶圆消耗是普通DRAM的3-4倍,且制造涉及先进封装、硅通孔等复杂工艺,良率、洁净室建设、绿色能效要求均严格,产能扩张周期漫长。当前HBM与商用存储的利润差,不足以驱动厂商大规模扩产,叠加厂商主动维持供给克制,避免AI数据中心因成本过高削减采购量,2027年HBM价格仍将持续上行。
全球三大存储龙头三星、SK海力士、美光,优先将产能向HBM、服务器级DRAM倾斜,直接挤压PC、移动端通用DRAM供给。机构数据显示,截至2026年底DRAM比特供应增长率仅约30%,远无法匹配2027年AI算力扩张需求,通用存储供给弹性严重不足。
终端需求端已显现成本压力,思科已在20余个产品线中削减50%的DRAM搭载量,侧面印证过高定价对终端需求的抑制风险。

三、需求端全面爆发:AI智能体重构存储需求,全链条涨价扩散

不同于以往存储周期仅由算力GPU驱动,AI智能体浪潮彻底重构了存储的需求逻辑,存储从算力配件升级为AI系统核心瓶颈。
AI训练依赖大规模并行计算,而长上下文对话、多轮交互、AI智能体推理,需要持续存储KV缓存、上下文状态与中间结果;存储容量不足时,GPU利用率下降、算力成本飙升。由此形成从GPU近端HBM、DDR5,到企业级SSD、远程数据湖的“AI记忆链”,直接决定AI系统的吞吐、延迟与运行经济性。
美光管理层在业绩会议中明确,AI数据中心高容量SSD、PCIe Gen6高速存储、KV缓存部署需求全面爆发,AI相关存储需求远超市场预期。机器人、多模态大模型、多AI代理系统,持续创造全新存储需求,存储密集度将持续指数级增长。
同时,AI CPU从GPU配角升级为AI工作流调度核心,进一步拉高服务器DDR5、企业级SSD配置需求。需求不再局限于高端HBM,沿着AI服务器架构,向DRAM、NAND闪存、SSD、硬盘全链条外溢,带动美光、三星、SK海力士、闪迪、西数等存储企业全线受益。

四、闪迪估值再升级:花旗上调目标价,AI大牛股仍有50%上涨空间

继美光之后,花旗将全球NAND闪存龙头闪迪目标价从1300美元上调至2025美元,潜在涨幅约51.9%,重申“买入”评级,看好NAND及企业级eSSD的超级涨价周期。
当前闪迪年内股价涨幅已超460%,成为全球AI超级大牛股。机构核心看涨逻辑包括:铠侠业绩超预期,AI数据中心拉动存储需求持续强劲;企业级SSD订单火热,eSSD均价预计2026年大涨265%;闪迪签署大量长期供货协议,保障80%以上基准毛利率,同时股票回购将进一步推升每股收益。
华尔街顶级机构同步加仓布局,大卫·泰珀旗下资管机构大举加仓闪迪、美光,完成从互联网软件板块向AI存储、云计算赛道的持仓轮动,凸显机构对存储超级周期的长期信心。

五、行业范式变革:长协模式重塑定价权,超级周期延续至2028年
本轮存储行情,并非传统库存修复周期,而是AI驱动的结构性超级周期,核心变革是长期供货协议(LTA)重构行业估值逻辑。
过去DRAM、NAND闪存被视为强周期商品,估值锚定市净率;如今云厂商为锁定产能,主动签署3-5年长期协议、支付预付款,存储厂商从“扩产卖货”转变为“以销定产”,估值框架切换为市盈率模式,盈利稳定性大幅提升。
供给端,铠侠、三星、SK海力士均严控资本开支,资本开支占营收比例降至个位数,短期产能难以快速释放;机构测算,2026-2030年AI存储晶圆缺口达每月45万片。需求端,高盛上调涨价预期,预计2026年DRAM涨幅达250%-280%,NAND闪存涨幅达200%-250%,三星、SK海力士均预警,AI引发的存储短缺将持续至2028年。

六、现货价格验证景气:二季度DRAM、NAND闪存合约价大幅跳涨
机构最新价格监测数据验证涨价趋势:2026年第二季度,通用型DRAM合约价环比上涨58%-63%,NAND闪存整体合约价环比大涨70%-75%,原厂“补涨策略”全面落地。
细分品类中,PC端DRAM虽整机需求承压,但原厂缩减供货,价格仍获强力支撑;北美云服务商集中采购大容量服务器级内存,原厂优先分配产能;智能手机存储需求保持稳定。企业级SSD因AI推理需求激增,订单持续火热,2027年底至2028年新产能才能大规模释放,供给缺口短期无法填补。