三星罢工搅动存储市场！威刚陈立白：今年存储一季比一季好，涨价预期升温

近期全球存储芯片行业迎来关键变量，全球存储龙头三星电子劳资谈判正式破裂，工会宣布于 21 日启动全面罢工，这一事件直接牵动 DRAM、NAND Flash 两大核心存储品类的供给预期，存储模组大厂威刚对此给出明确行业判断。
中国台湾内存厂家威刚董事长陈立白在近期媒体交流会上直言，三星此次罢工已是势不可免。作为全球 DRAM 与 NAND Flash 的绝对龙头厂商，三星产线若受罢工波及，将直接影响全球存储器整体产出，虽短期对全年总产能影响有限，但市场心理层面的供给担忧，极易带动 DRAM 和 NAND Flash 价格持续上行，他也呼吁行业涨价节奏能够放缓，同时希望三星罢工事件尽早落幕。
当前全球存储市场本就处于供给偏紧的格局，行业供需基本面早已支撑价格走强。陈立白分析，目前三大存储原厂 2026 年产能大多已提前售罄，不少下游客户已提前洽谈 2027 年及更长期的供货合约，长单需求进一步锁定供给，加剧现货市场紧张态势。若本次三星罢工持续时间拉长，达到市场传闻的 18 天周期，将持续放大供给收紧预期，进一步推升存储芯片价格。
从品类行情来看，今年以来 NAND Flash 涨价势头已明显强于 DRAM，陈立白预判，未来三个月内 NAND 价格涨幅将继续扩大；DDR4 市场需求近期也迎来回暖，价格短暂休整后，仍具备继续上涨的动力。
对于国产存储产能带来的市场变量，陈立白表示，中国大陆存储器厂商正加速扩产，但新增产能预计后年才会集中释放，当前全球市场占比偏低，短期内难以改变全球存储供不应求的整体格局，因此今年至明年，DRAM 与 NAND Flash 供需紧平衡态势将延续。
面对存储持续涨价的行情，威刚已提前布局库存储备。陈立白透露，DDR4 价格后续还会持续走高，公司将持续加大备货力度，预计今年第三季度末库存水位将攀升至 500 亿新台币，提前锁定成本、保障下游供货稳定。
综合来看，三星罢工叠加全球存储原厂产能紧缺、下游长单锁定、AI 需求持续释放多重因素，2026 年存储器行业整体上行趋势明确，正如陈立白所言，今年存储市场将呈现一季比一季向好的走势，涨价行情大概率延续。