三星西安工厂启动第九代 V-NAND 产线升级
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2026-05-22
三星西安工厂启动第九代 V-NAND 产线升级
三星电子在西安工厂正式开启第九代 V-NAND 产线改造工程，厂区洁净室配套筹备工作同步推进。
工厂 3 月底刚完成第八代 V-NAND（236 层）量产落地，此前已完成从 128 层第六代产品的产能迭代，现阶段第六代产品产能逐步缩减收尾。
投资与投产节奏2025 年三星对西安工厂投资约 3.04 亿美元，同比增幅 67.5%；规划年内完成 286 层第九代 V9 产线投资布局，V9 产线预计 2027 年正式投产，投产后 V8、V9 两代产线将并行生产。
三星电子在西安工厂正式开启第九代 V-NAND 产线改造工程，厂区洁净室配套筹备工作同步推进。
工厂 3 月底刚完成第八代 V-NAND（236 层）量产落地，此前已完成从 128 层第六代产品的产能迭代，现阶段第六代产品产能逐步缩减收尾。
投资与投产节奏2025 年三星对西安工厂投资约 3.04 亿美元，同比增幅 67.5%；规划年内完成 286 层第九代 V9 产线投资布局，V9 产线预计 2027 年正式投产，投产后 V8、V9 两代产线将并行生产。
厂区产能地位西安工厂是三星全球 NAND 闪存核心生产基地，产能占其全球总规模 40%。2025 年该厂营收 8.64 万亿韩元，净利润 1.11 万亿韩元，产能迭代将进一步巩固存储芯片供货实力。
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