南亚科豪掷 520 亿扩产：押注 AI 存储缺口至 2027，HBM 布局引市场两极争议

中国台湾DRAM厂南亚科于 5 月 21 日召开股东会，释放重磅信号：AI 服务器、AI PC、AI 手机等应用持续推高存储需求，行业正进入结构性成长周期。总经理李培瑛直言 “客户疯狂抢产能”，预判 DRAM 供不应求将延续至 2027 年底，2028 年供需仍偏紧，并宣布超 520 亿元资本支出计划，全力扩产与布局 HBM。
根据规划，南亚科未来 2-3 年产能将大增 80%-100%；新厂房已完成主体结构，正推进无尘室建设，预计 2027 年 Q1 装机、年底至 2028 年初贡献产能。同时，公司已小批量出货客制化 HBM 产品，与客户深度合作推进技术落地，目前已产生小幅营收，未来成长空间广阔。
市场两极分化：一边喊 “摆脱周期”，一边忧 “扩产即崩盘”
南亚科的激进策略引发市场激烈讨论。乐观声音认为，公司已突破传统 DDR4 业务，成功切入 HBM 高增长赛道，有望借 AI 东风摆脱景气循环股属性。网友纷纷看好其发展，HBM 业务放量后有望将迎来业绩爆发。
但更多担忧指向产能过剩风险。不少业内人士直言 “景气高点扩产等于崩盘”，质疑二线厂商盲目跟风：三星、SK 海力士尚未大规模扩产，南亚科激进投入恐埋下隐患。有网友警示，二线等厂商产能逐步释放，2 年后或掀起价格战，当前扩产或将导致 “开厂即亏损”，行业泡沫破裂风险加剧。