15亿美元落子越南!三星补全传统内存产能短板
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2026-05-27
AI高端存储产能挤兑传统内存,全球供需结构严重失衡,三星正式落地战略性产能布局。企业斥资15亿美元,在越南太原省新建专属芯片测试厂,项目于今年3月获批动工,预计2027年11月投产,也是三星在越南的首座芯片测试设施。
当前行业产能高度向高端AI存储倾斜,三星HBM4产能2026年已全部售罄,SK海力士同样深陷HBM产能紧缺。大量先进产能集中于高端产品,导致智能手机、笔记本电脑、汽车电子所需的传统内存严重缺货,市场缺口持续扩大,这也是三星加码越南产能的核心原因。
该工厂产能规模可观,规划年产1533亿Gb DRAM、2556亿Gb NAND闪存。同时三星计划将项目收益持续投入扩产,追加投资上限达25亿美元、筹建第二座工厂,属于中长期供应链布局,并非短期应急措施。三星深耕越南多年,累计投资超230亿美元,依托当地成熟基建与人力体系,可快速落地产能、降低运营成本。
当前行业产能高度向高端AI存储倾斜,三星HBM4产能2026年已全部售罄,SK海力士同样深陷HBM产能紧缺。大量先进产能集中于高端产品,导致智能手机、笔记本电脑、汽车电子所需的传统内存严重缺货,市场缺口持续扩大,这也是三星加码越南产能的核心原因。
该工厂产能规模可观,规划年产1533亿Gb DRAM、2556亿Gb NAND闪存。同时三星计划将项目收益持续投入扩产,追加投资上限达25亿美元、筹建第二座工厂,属于中长期供应链布局,并非短期应急措施。三星深耕越南多年,累计投资超230亿美元,依托当地成熟基建与人力体系,可快速落地产能、降低运营成本。






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