产能缺口持续扩大，存储紧缺格局或延续至2026年后

美光科技结合市场现状与行业数据预警，受AI应用爆发、高端产能挤占等因素影响，全球存储器供需失衡问题持续加剧，存储紧缺行情大概率延续至2026年之后，行业长期景气度进一步确认。
制程升级方面，美光全力推进1-gamma DRAM先进节点落地，相较于上一代1-beta节点，新制程晶圆位密度提升超30%，DDR5传输速度提升15%，功耗降低20%。该制程采用EUV极紫外光刻与新一代高介电金属栅极技术，全面适配数据中心、智能终端、车载电子等多场景的高效存储需求，助力产品性能迭代升级。
供需紧张的核心原因在于HBM产能挤占效应。AI服务器所需的HBM内存需要多层DRAM垂直堆叠与先进封装工艺，芯片尺寸更大、制程更复杂，单晶圆产出芯片数量大幅减少。头部厂商集中产能攻坚HBM产品，直接挤压传统DRAM、NAND闪存以及消费、车用、工业级内存产能，导致全品类存储产品供应偏紧。
从行业格局来看，全球先进内存市场呈现寡头垄断态势，三星、SK海力士、美光掌控核心技术与产能，行业集中度极高。这一格局在供应紧缺阶段能够稳定产品价格，但也引发市场对产能分配、长期供货、行业垄断的关注。同时，存储行业固有的周期性风险仍未消除，若未来AI资本支出放缓、新增产能集中释放，市场或再度迎来价格调整。
整体而言，存储行业已进入全新发展阶段，AI算力需求彻底改写行业估值逻辑，从传统周期行业转向AI核心基础设施赛道。但行业高资本支出、强周期波动的特性仍在，叠加AI商业化回报尚未完全落地，行业长期发展仍存在一定不确定性。