SK 海力士激进扩产，2030 年 DRAM 月产能冲刺百万片晶圆

为承接 AI 催生的海量需求，SK 海力士推出大规模扩产计划，计划 2030 至 2031 年将 DRAM 晶圆月产能从当前 55 万片提升至 100 万片，近乎实现产能翻倍。
该规划与 SK 集团此前提出的五年内晶圆产能翻倍的目标相契合。本次扩产核心落地于韩国龙仁半导体集群，新工厂设备进场时间提前，六个洁净室将分批投产，预计 2030 年上半年新增月产能 36 万片。SK 海力士现有产能中，中国无锡工厂月产 20 万片，叠加多地新产能，将助力企业达成百万片产能目标。所有新增产线均聚焦 DRAM 生产，闪存业务则主攻技术升级，不盲目扩产。
大批半导体设备、材料企业陆续入驻配套园区，但供应链企业对产能落地持谨慎态度，新增产能能否被消化，取决于 AI 数据中心等下游需求的持续性。与此同时，三星也在加快 DRAM 产线投资，规划新建厂区，预计 2027 年起释放大量产能。韩系两大存储巨头同步扩产，将让 2030 年前后全球 DRAM 供给迎来大幅增长，中长期供需格局成为市场关注焦点。