第三方控制器技术突破：慧荣SM2524XT实现无缓存14GB/s读取低功耗运行

 核心硬件迭代：四核心架构拉高闪存传输上限
2026年中国台北电脑展上，中国台湾地区控制芯片厂商慧荣发布无外置DRAM缓存SSD控制器SM2524XT，主打边缘AI服务器、轻薄笔记本低功耗存储场景。芯片沿用台积电6nm成熟制程，相比前代SM2504XT，Arm Cortex-R8处理器从3核升级为4核，并行数据调度能力大幅提升。
闪存接口速率从3600MT/s提升至4800MT/s，性能实现跨越式升级：循序读取14GB/s、循序写入12GB/s，随机IOPS达250万。仅依靠4通道架构，性能已经逼近行业8通道带外置DRAM缓存的旗舰控制器，能够帮助下游SSD厂商省去缓存硬件成本，压缩终端产品造价。
双技术加持实现功耗优化，每瓦效能提升25%
SM2524XT依靠两项自研底层技术优化功耗与延迟。PI-LTT电力隔离终端技术将闪存I/O电压从1.2V降至0.6V，从电路底层削减空载功耗；SCA命令寻址分离架构拆分指令与地址传输链路，规避信号干扰，缩短读写延迟。
根据SEMI官方实测数据，该控制器满速读取功耗仅4.689W，前代同速率产品功耗4.67W，传输速率提升28.6%的同时功耗几乎持平，每瓦能效提升25%。对比带DRAM缓存控制器7W功耗，无缓存方案功耗优势超33%，完美适配海量边缘AI节点低功耗部署需求。