NAND堆叠竞赛白热化：钼材料成为突破层数上限关键

AI冷数据存储需求暴涨，倒逼三星、SK海力士开启NAND闪存堆叠层数竞赛，上游特种材料迎来结构性红利。目前SK海力士已完成375层三维NAND验证，计划改造现有321层量产产线，2026年底正式投产。
SK海力士原本目标400层堆叠，但超细线路下传统钨布线信号衰减严重，产品良率不足30%，只能下调层数。三星提前预判该技术痛点，2024年起在340层以上NAND产品使用钼布线，钼电阻率仅为钨的56%，能有效解决高密度堆叠的信号损耗问题。三星规划2026年推出400层NAND，远期目标为1000层双堆叠架构。
技术迭代直接拉动钼需求激增：三星2025年钼采购量4吨，2026年上半年已达10吨，SK海力士同期预计采购4吨。行业测算，全球半导体级钼需求将从2027年25吨增长至2030年80吨，四年复合增速超55%，是存储升级确定性最高的上游材料分支。