三星率先突破工艺壁垒：全球首款5nm车规级MRAM完成性能验证

在2026年夏威夷VLSI国际芯片研讨会上，三星发布全球首个5nm磁阻存储器（MRAM）存储单元成果，距离其8nm MRAM落地仅间隔4个月，工艺迭代速度超出行业预期。该技术由三星内部CTO团队主导，攻克了MRAM长期存在的漏电流缺陷，通过优化磁性薄膜堆叠结构，顺利通过汽车AEC-Q100耐久性认证，可在-40℃至150℃极端温域稳定运行，适配车载、工控高可靠性使用场景。对比主流DRAM，MRAM同时具备高速读写、断电保数据两大特性，待机功耗降幅超六成，能有效缓解芯片高热难题。
新型存储赛道竞争已进入白热化，台积电此前跳过8nm节点，直接从12nm切入5nm MRAM研发，意图追赶三星技术优势。依据Global Market Insights数据，2025年三星MRAM全球市占率14.3%排名第一，台积电11.9%紧随其后。不同于传统存储比拼产能，MRAM核心壁垒集中在底层专利，国内存储器厂家则避开韩台厂商主流赛道，聚焦车载低功耗MRAM开展差异化研发。三星明确规划，2027年将完成全尺寸芯片开发并量产，抢占千亿车载存储市场。