中国纳米压印技术重大突破：绕开 DUV 光刻机，光芯片成本直降九成

受地缘因素影响，高端 DUV、EUV 光刻机出口受限，成为国内先进芯片制造的一大阻碍。在此背景下，璞璘科技（Prinano）于 2026 年 6 月宣布，成功通过纳米压印技术实现8 英寸硅基光子芯片（光芯片）规模化量产验证，整套工艺完全脱离对阿斯麦 DUV 光刻机的依赖，同时大幅压缩制造成本。
传统光芯片制造高度依赖 DUV 光刻：通过深紫外光投影将电路图案转移到晶圆，设备昂贵且供货受限。璞璘科技自研的PL-AS 真空气垫式纳米压印曝光平台，原理如同微观 “盖印章”—— 直接将纳米级结构物理压印在涂有阻剂的晶圆表面，省去复杂光学系统与高功率激光组件。该技术仅适用于光芯片、传感芯片等结构相对简单的产品，并非用于 CPU、GPU 等高端逻辑芯片。
成本与参数表现亮眼：制造成本仅为传统 DUV 制程的 10%（降本约 90%）；线宽分辨率小于 10 纳米，晶圆压力均匀性误差低于 0.5%，压印残留层厚度控制在 2 纳米以下。全球范围内，日本佳能也布局纳米压印，但采用步进式逐点曝光，效率偏低；璞璘采用全晶圆一体压印，吞吐能力更具优势。业内专家理性指出：该技术当前在光芯片、普通存储器等领域优势明显，若要应用于高端逻辑芯片量产，仍需攻克良率、模具损耗、套刻精度等难题。