SK海力士警告存储器供应紧张的局面仍将持续数年,加速推进HBM4E

SK海力士豪赌2034：产能翻倍难解AI饥渴，HBM4E争夺白热化
在全球存储市场的高端领域，一场由人工智能驱动的军备竞赛正以前所未有的烈度展开。韩国巨头SK海力士近期宣布了一项里程碑式的产能扩张计划：将DRAM晶圆产能提升目标提前至2034年，比原定路线图整整提前了十年。根据其规划，随着在龙仁（Yongin）建设的四座大型芯片工厂陆续投产，公司整体硅晶圆产能届时将增加三倍。这一激进的“跳代”扩产策略，直接反映了AI数据中心对高带宽内存需求的爆炸性增长。
尽管SK集团董事长蔡泰元在受访时表示，全面建设路线图已大幅加快，且计算显示产能将翻倍甚至增至三倍，但他同时也向市场泼了一盆冷水。蔡泰元坦言：“目前没有比这更快的进展方式了。人们已经说即使这样也不够。”这一表态揭示了行业的残酷现实：即便产能扩张速度创下历史纪录，供应紧张的局面仍将持续数年。业内预测，DRAM和HBM内存将持续稀缺至2030年，许多企业已开始通过预付费和多年预留的方式来锁定产能，以应对持续的芯片短缺。
这种供不应求的态势已直接传导至终端市场价格。2026年，内存和存储价格创下历史新高，部分DRAM和HBM芯片的价值甚至超过了同等重量的黄金。以消费市场为例，亚马逊平台上32GB DDR5内存套件的价格在过去三个月内涨幅接近19%，从370美元飙升至440美元。这种价格压力不仅困扰着普通消费者，更给全球数据中心带来了巨大的成本负担，迫使上游厂商必须加快技术迭代的步伐。
在最前沿的技术争夺中，HBM4E（第七代高带宽存储器）已成为兵家必争之地。作为英伟达等巨头AI加速器的核心配套组件，HBM4E的样品交付时间直接决定了量产订单的归属。继三星电子率先交付全球首批12层48GB HBM4E样品后，SK海力士也紧急调整节奏，预计最早将于本月（2026年6月）启动样品交付，比原计划的“下半年”更为激进。这一调整旨在争取在客户验证和优化的关键窗口期占据优势，以确保能为英伟达下一代AI加速器“Rubin Ultra”供货。
目前，SK海力士的HBM4E核心芯片将采用其先进的1c纳米工艺制造，而基底芯片则由台积电采用3纳米工艺打造。业内人士指出，今年下半年三星与SK海力士之间的供应竞争将进一步加剧，因为样品交付的速度直接关系到客户能否完成性能验证，从而在最终的量产订单中胜出。与此同时，美光的HBM4产能提升顺利，并计划于2027年量产HBM4E，全球三大存储巨头正逐步将战略重点从单纯的产量竞争，转向对定价权和下一代规格领导地位的全方位博弈。