先进封装成算力突围关键：突破光刻物理极限，补齐算力短板

摩尔定律晶体管微缩已触碰物理边界，3nm及以下制程量子隧穿漏电问题凸显，制造成本大幅上涨、良率持续下滑，单纯依靠光刻提升算力性价比极低。半导体行业转而通过先进封装实现算力增长，核心思路是缩短芯片互联传输距离。主流路线分为2.5D与3D封装：2.5D代表为台积电CoWoS，用于GPU与HBM横向互联；3D代表为台积电SoIC、英特尔Foveros，实现芯片垂直堆叠，二者均可降低互联功耗、翻倍提升传输带宽。
先进封装直接解决AI算力“内存墙”痛点，同时依托Chiplet芯粒模式拆分大芯片，提升芯片良率、降低报废成本。产能层面，台积电CoWoS 2026年月产能仅9万片，英伟达独占六成产能，产能紧缺状态将延续至2027年。虽然英特尔的EMIB和三星的I-Cube是竞品，但台积电在产能规模和良率上遥遥领先。国内头部封测厂商已实现2.5D封装量产，追赶进度较快，但高端CoWoS级封装、ABF载板仍存在2-3年代差，ABF载板核心供给集中于日本与中国台湾厂商，是产业链隐性瓶颈。