韩国强攻功率半导体：打造下一个“摇钱树”

韩国政府正式启动“超级创新经济项目”，计划投入5000亿韩元（若算上民间配套资金，总规模预计达7500亿韩元）专项攻关下一代功率半导体技术。韩国已将功率半导体定位为堪比存储芯片的核心战略产业，试图复制其在DRAM领域的成功神话。
此次攻关的核心聚焦于碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等化合物半导体。在AI算力爆发和绿能转型的背景下，AI数据中心对稳定且高效的电力传输需求激增，而第三代半导体在耐高压、耐高温及高频运作上的优势，使其成为优化AI能效与电动车电控系统的终极解决方案。为摆脱对外依赖，韩国政府不仅要求产业链企业参与从材料、器件到系统演示的全周期开发，还计划升级釜山、浦项等地的晶圆厂，目标在2027年实现1200V SiC MOSFET等关键器件的量产，并在2030年将技术与产能自给率提升一倍。