突破移动端AI运算极限：传国产品牌手机厂探索低延迟宽字节DRAM技术

在智能手机端侧部署人工智能模型的过程中，内存带宽与功耗往往成为制约计算性能的核心痛点。据Wccftech引述微博爆料者“定焦数码”的报道，传中国知名智能手机品牌厂正在积极研究一种名为“低延迟宽字节DRAM”（LLW）的新型内存方案。该技术旨在缓解智能手机在本地运行AI运算时面临的内存瓶颈，为端侧AI的普及提供底层硬件支撑。
LLW方案采用了类似高带宽内存（HBM）的整合式设计思路，但并非真正的HBM，而是专门针对智能手机内部受限的空间与严苛的散热条件量身定制的版本。传闻指出，若LLW技术能够如期量产，有望带来约1.5倍的带宽提升，同时将功耗降低约50%。尽管外界普遍假设这些数据是相较于LPDDR5X得出的，但具体的比较基准尚未明确。
从产业落地节奏来看，短期内推出此类高性能手机内存的概率较低，较有可能的导入时程预计落在2027年下半年。此外，报道还提及苹果公司可能在未来机型中采用相关技术，而三星也被视为较积极推动手机用HBM的厂商之一。总体而言，LLW目前仍属前沿传闻阶段，若属实将极大改善端侧AI的内存瓶颈，但其实际测试基准、供应链可行性与量产时程等关键细节，仍需等待官方与供应链的进一步证实。