闪迪布局 HBF 高带宽闪存，探索存储计算融合新方案

2.1 HBF 技术核心逻辑：借鉴 HBM 架构，突破容量瓶颈
为适配 AI 与高性能运算长期存储需求，闪迪推出 HBF 高带宽闪存方案，复刻 HBM 垂直堆叠思路，依靠硅通孔导通技术多层互联 NAND 闪存芯片并封装为一体化存储栈。现有 HBM 单堆叠容量仅 32GB-64GB，难以承载大模型完整参数；HBF 方案可将单栈存储容量拓展至最高 4TB，兼顾带宽、大容量与成本优势，缓解当前 HBM 供给紧缺带来的算力存储瓶颈，抓住人工智能基础设施建设红利。
HBF堆叠架构示意图
2.2 新一代 CBA 键合专利：闪存直连运算芯片优化传输效率
闪迪已完成新一代 3D 堆叠技术专利布局，采用 CMOS 键合阵列架构，将 NAND 闪存模组直接置于图形处理器、AI 加速器等主运算芯片下方；中介层同步保留 HBM 堆栈，实现分工协同：HBM 负责低延迟实时数据运算，底层 NAND 承载海量数据集、模型权重读写存储。运算芯片与闪存采用宽通道互联，缩短数据传输路径，在速度、功耗、硬件成本之间形成更优平衡，解决传统 SSD 距离计算核心过远带来的延迟短板。

2.3 商业化落地存在多重门槛，短期主推并排式成熟方案
业内专家提示，HBF 及芯片直连架构距离大规模商用仍有较多技术约束，需要攻克功耗控制、散热设计、封装成本、生产良率四大核心难题。现阶段闪迪推向市场、推进行业标准化的产品以技术门槛更低的并排配置架构为主；HBF 工程样品计划于 2026 年下半年推出，搭载该技术的 AI 推理设备预计 2027 年初才可落地，中长期才能贡献规模化营收。