杰富瑞预判存储牛市延续至 2027 年，供给缺口持续推升存储价格
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2026-06-23
跨国投行杰富瑞（Jefferies）发布存储行业研报，受 3 纳米先进制程迭代放缓、云端厂商提前锁产能双重影响，本轮存储涨价周期有望延续至 2027 年，涨价幅度大幅超出市场前期预期。报告产业测算显示，剔除国产存储增量后，2026 年全球存储位元供给增速仅 7%-8%，供给增量仅依靠制程微缩实现，无新增晶圆产能投放，每月将维持 150 至 200 千片晶圆供给缺口，供需失衡格局延续至 2027 年。
分品类、分季度涨价节奏存在明显分化。2026 年三季度存储价格环比上涨 40%-50%，四季度续涨 30%-40%，远高于市场此前 15%-20% 的预期。服务器 DRAM 涨幅领跑行业，季度涨幅约 60%；消费电子配套 DRAM 涨幅偏弱，环比约 33%；HBM 全线缺货，未来 12 个月整体涨幅预估 70%。2027 年存储均价同比涨幅预计 40%-45%，约为 2026 年全年涨幅六倍。
报告同步提示周期下行风险，若 2028 年全球存储晶圆产能扩张 15%-20%，叠加 AI 终端需求阶段性降温，存储价格存在快速回落可能，行业周期波动风险值得持续跟踪。
云端厂商锁定过半存储产能，消费电子产业链供货压力加剧
当前存储原厂长期供货协议资源明显向云端服务商倾斜，头部存储企业签署的 2 至 3 年长单全部面向数据中心客户，合约普遍要求 40% 预付款履约，三星已与大型云端服务商签订三年期供货协议，设置价格浮动区间平衡上下游成本波动。
消费电子厂商无法签订同等保障力度的长期供货合约，云端服务商已锁定全球五成存储总产能，后续占比或将提升至七成。产能优先供给数据中心场景，2026 至 2027 年智能手机、笔记本电脑、台式机等终端企业，将持续面临芯片缺货、交付周期拉长的问题，终端制造成本承压。
即便拥有预付款现金流支撑，各大存储原厂扩产依旧保持审慎。过往下行周期需求骤降带来的亏损经历，让厂商每年动态校验下游需求持续性；若后续供给转向宽松，云端客户也存在解除长单的可能，行业不会出现盲目扩产潮。
供应链竞争格局演变：区域扩张短期不冲击全球行情，长期NAND赛道技术追赶成果亮眼
针对市场关注的区域产能扩张议题，行业分析普遍认为，部分区域存储器厂商的产能增长在短期内主要作用于中端市场，尚不足以对2026年至2027年的全球存储器多头格局产生实质性冲击。然而，从长远技术演进来看，相关厂商在闪存（NAND）领域的技术追赶速度引人注目。尽管在DRAM领域，受关键设备等影响，技术迭代仍需时间，但在闪存领域，随着产能规模的逐步提升，预计至2028年，区域厂商的技术水平有望逐步向全球领先梯队靠拢，为市场带来更多元化的竞争格局。
HBM4 竞争格局迎来调整，三星混合键合技术有望缩小同业差距
在备受瞩目的高带宽存储器（HBM4）技术竞赛中，产业竞争态势也呈现出新的变化。随着堆叠技术向“混合键合（Hybrid Bonding）”方向演进，过往制约部分厂商的技术瓶颈有望得到缓解。有行业调研显示，部分厂商在采用先进制程的HBM4基底芯片上展现出较强的性能潜力，有望在新一轮技术迭代中缩小差距甚至抢占先机。总体而言，HBM4的竞争已从单纯的产能比拼，转向涵盖制程工艺、封装技术及供应链协同的综合实力较量。万水千山总是情，打赏一元行不行？
分品类、分季度涨价节奏存在明显分化。2026 年三季度存储价格环比上涨 40%-50%，四季度续涨 30%-40%，远高于市场此前 15%-20% 的预期。服务器 DRAM 涨幅领跑行业，季度涨幅约 60%；消费电子配套 DRAM 涨幅偏弱，环比约 33%；HBM 全线缺货，未来 12 个月整体涨幅预估 70%。2027 年存储均价同比涨幅预计 40%-45%，约为 2026 年全年涨幅六倍。
报告同步提示周期下行风险，若 2028 年全球存储晶圆产能扩张 15%-20%，叠加 AI 终端需求阶段性降温，存储价格存在快速回落可能，行业周期波动风险值得持续跟踪。
云端厂商锁定过半存储产能，消费电子产业链供货压力加剧
当前存储原厂长期供货协议资源明显向云端服务商倾斜，头部存储企业签署的 2 至 3 年长单全部面向数据中心客户，合约普遍要求 40% 预付款履约，三星已与大型云端服务商签订三年期供货协议，设置价格浮动区间平衡上下游成本波动。
消费电子厂商无法签订同等保障力度的长期供货合约，云端服务商已锁定全球五成存储总产能，后续占比或将提升至七成。产能优先供给数据中心场景，2026 至 2027 年智能手机、笔记本电脑、台式机等终端企业，将持续面临芯片缺货、交付周期拉长的问题，终端制造成本承压。
即便拥有预付款现金流支撑，各大存储原厂扩产依旧保持审慎。过往下行周期需求骤降带来的亏损经历，让厂商每年动态校验下游需求持续性；若后续供给转向宽松，云端客户也存在解除长单的可能，行业不会出现盲目扩产潮。
供应链竞争格局演变：区域扩张短期不冲击全球行情，长期NAND赛道技术追赶成果亮眼
针对市场关注的区域产能扩张议题，行业分析普遍认为，部分区域存储器厂商的产能增长在短期内主要作用于中端市场，尚不足以对2026年至2027年的全球存储器多头格局产生实质性冲击。然而，从长远技术演进来看，相关厂商在闪存（NAND）领域的技术追赶速度引人注目。尽管在DRAM领域，受关键设备等影响，技术迭代仍需时间，但在闪存领域，随着产能规模的逐步提升，预计至2028年，区域厂商的技术水平有望逐步向全球领先梯队靠拢，为市场带来更多元化的竞争格局。
HBM4 竞争格局迎来调整，三星混合键合技术有望缩小同业差距
在备受瞩目的高带宽存储器（HBM4）技术竞赛中，产业竞争态势也呈现出新的变化。随着堆叠技术向“混合键合（Hybrid Bonding）”方向演进，过往制约部分厂商的技术瓶颈有望得到缓解。有行业调研显示，部分厂商在采用先进制程的HBM4基底芯片上展现出较强的性能潜力，有望在新一轮技术迭代中缩小差距甚至抢占先机。总体而言，HBM4的竞争已从单纯的产能比拼，转向涵盖制程工艺、封装技术及供应链协同的综合实力较量。万水千山总是情，打赏一元行不行？
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