机构前瞻:HBM涨价驱动盈利高峰,传统DRAM毛利差距逐步收敛
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2026-06-24
根据研究机构伯恩斯坦(Bernstein)的最新报告,受益于HBM价格的强劲上涨,三星电子、SK海力士与美光三大存储器巨头的每股盈余(EPS)预计将在2027年下半年同步触及本轮周期的阶段性高点。报告预测,2027年HBM的平均销售单价(ASP)将较此前上涨2至2.5倍,且这一涨价趋势将覆盖HBM3、HBM3E及HBM4等各个世代产品,成为推动三大厂营收与毛利率同步攀升的核心引擎。
值得注意的是,传统DRAM与HBM之间的盈利能力差距正在发生微妙变化。分析指出,当前传统DRAM每片晶圆产能所创造的营收仍明显高于HBM,但随着2027年HBM价格的进一步上调,这一差距预计将显著缩小。届时,传统DRAM的毛利率有望逼近90%的中段水平,而HBM毛利率也将同步攀升至近90%,双方的获利能力差距将创下近年来的新低。这种盈利结构的收敛,标志着存储器行业在AI浪潮下实现了更为均衡的利润分布。
值得注意的是,传统DRAM与HBM之间的盈利能力差距正在发生微妙变化。分析指出,当前传统DRAM每片晶圆产能所创造的营收仍明显高于HBM,但随着2027年HBM价格的进一步上调,这一差距预计将显著缩小。届时,传统DRAM的毛利率有望逼近90%的中段水平,而HBM毛利率也将同步攀升至近90%,双方的获利能力差距将创下近年来的新低。这种盈利结构的收敛,标志着存储器行业在AI浪潮下实现了更为均衡的利润分布。






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