三大存储器巨头遭集体反垄断诉讼

存储三巨头遭遇反垄断诉讼，产能调配争议推高终端硬件成本
2026年6月25日，美国加州北区地方法院受理一起集体反垄断诉讼，三星、SK海力士、美光三大全球存储器龙头被指控协同操纵DRAM市场价格。原告方认为，三家厂商借AI产业发展为由，刻意缩减DDR3、DDR4等消费级通用内存产能，人为制造供给缺口，最终让消费者与终端硬件厂商承担涨价成本，市场硬件降价预期彻底落空。
本次争议的核心在于产能调配逻辑的分歧。三大厂商对外表示，缩减传统内存产能是为适配数据中心HBM高带宽内存的爆发式需求，属于市场化产能优化。但原告指出，存储行业存在极高的准入壁垒，新建现代化晶圆厂需投入150亿至200亿美元，且阿斯麦EUV核心设备产能长期被头部企业垄断，新竞争者无法入局，三家厂商同步控产的行为，已形成事实上的寡头垄断。同时，数十年积累的制程工艺、良率管控技术构筑了深厚行业护城河，进一步巩固了其垄断地位。
这并非三家厂商首次卷入价格操纵争议，行业历史违规记录再度被市场热议。早在2005年，三星、SK海力士就因操纵DRAM价格被处以数亿美元罚金；2016至2018年存储器价格异常暴涨，也留存诸多行业争议。本轮产能收缩已全面传导至终端市场，游戏掌机、台式机、游戏主机纷纷调价，苹果、微软等主流硬件厂商均受成本上行波及。机构预测，2027年秋季前消费级内存价格无下行空间，部分品类或再度涨价。目前案件仍在审理中，美光已公开表态合规经营并将积极应诉，最终结果有待法院裁定。
价格诉讼暗藏供应链博弈，AI存储竞争加剧美韩产业角力
本次反垄断诉讼并非单纯的消费端价格纠纷，本质是人工智能时代全球半导体供应链主导权竞争的缩影。此次诉讼同时涵盖韩系与美系核心存储厂商，并非针对性打压海外企业，直指全球DRAM行业寡头集中的市场格局。
诉讼曝光后，韩国迅速落地国家级半导体产业规划，推出800万亿韩元投资蓝图，新建四座晶圆厂，持续加码存储器产能与技术研发，稳固全球产业优势。当前HBM已是英伟达AI芯片的核心配套组件，全球市场由三星、SK海力士、美光垄断，其中韩系厂商占据绝对领先份额。由于HBM毛利率远高于传统DRAM，头部厂商持续倾斜产能，引发市场争议。有业内观点认为这是正常商业决策，但也有声音认为，寡头同步控产会持续扰乱市场供需、推高产品价格。
从行业趋势来看，摩根士丹利等机构预判，全球AI数据中心持续扩建，未来数年HBM需求将维持高增长，DRAM价格短期延续涨势。与此同时，美国依托《芯片与科学法案》推动半导体产能回流，美光落地本土扩产计划并获得政府补助，强化本土存储产能。整体而言，本次价格争议的背后，是美韩两国在AI存储制造、先进封装、半导体产能布局上的深度博弈，行业长期格局将随政策与产能投放持续变化。