铠侠第十代3D NAND送样:332层BiCS FLASH落地,AI推理推动存储架构重构
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2026-07-04
2026年7月3日,铠侠(Kioxia)在岩手县北上工厂举行媒体说明会,宣布第十代BiCS FLASH 1Tb TLC样品正式启动交付,同步送样的还有合资方闪迪(SanDisk)。与此前消费级导向的新品发布不同,这次活动同时释放了三层面讯号:产品端332层堆叠NAND进入客户验证、产能端北上K2厂房准备承接先进节点、业务端明确把数据中心与企业级产品作为未来最主要的利润增长源。铠侠社长太田裕雄在会上给出一个偏乐观的判断:目前未见数据中心建设需求出现放缓,AI相关的存储拉动仍在持续。
AI推理放量,NAND从"后台"挪向"算力链"中间层
过去两年生成式AI的基础设施投资主要集中在训练侧,市场目光一度被GPU和HBM牵引。但当模型进入大规模应用阶段后,推理负载的特征开始显现——需要反复读取模型权重、检索外部知识、缓存上下文,并记录智能体(Agentic AI)执行任务过程中产生的大量中间数据。
HBM带宽高但单价贵、容量有限,不可能承载全部数据;DRAM与机械硬盘之间,企业级SSD正成为越来越关键的一层。铠侠在2026年投资者日援引TechInsights数据:全球闪存需求规模预计从2025年的295EB增长到2028年的909EB,接近3倍;其中数据中心市场年复合增长率约46%,而与AI推理直接相关的需求年复合增长率高达86%,明显高于训练侧16%的水平。
太田社长把需求增量进一步拆到两类应用:一是Agentic AI,即AI自主拆解任务、调模型、调工具、连续执行,一次复杂任务可能对应数十到数百次模型调用;二是Physical AI,把AI延伸到机器人、汽车、工业装置,要处理摄像头、雷达、设备状态的连续数据流,部分还需本地保存和推理。两类场景都对存储的容量、读取速度、功耗、耐久度提出了比训练时代更细的要求。
第十代BiCS 10:不盲目冲层数,押332层平衡方案
这次送样的第十代BiCS FLASH,采用332层堆叠,NAND接口速度4.8Gb/s(较第八代218层提升33%),位密度提升59%,写入与读取功耗效率分别改善18%和30%。技术上延续了第八代引入的CBA(CMOS直接键合阵列)工艺——CMOS逻辑电路与存储阵列分晶圆制造后再键合,铠侠口径是这项工艺比行业平均落地时间点提前4年以上。
值得留意的是铠侠对"层数竞赛"的态度。3D NAND堆得越高,工艺步骤、加工时间、良率控制难度都会抬升。铠侠内部测算,相比假设性的400层以上架构,332层方案的单位GB成本约低10%、功率效率高约10%、存储单元可靠性高约35%。因此第十代并没有盲目冲500层、600层,而是选择332层加横向微缩,在位密度、成本、功耗、可靠性之间找平衡点,主要面向企业级和数据中心SSD;同时第九代节点继续承担AI手机、AI PC等偏消费类的高性能需求,避免全产品线一起迁移到昂贵新工艺。
闪迪同步发布的公告显示,双方共享同一合资厂技术,BiCS10是闪迪2025年从西部数据拆分独立后首批拿出的下一代NAND产品之一。
K2厂房分阶段装机,三年资本支出累计近1.4万亿日元
北上K2厂房2025年9月已投产,初期做第八代218层产品,并为先进节点预留空间。铠侠这次明确:K2不会一次性填满设备,而是按市场节奏分阶段装机——厂房建筑和洁净室先就位,光刻、刻蚀、沉积、键合等设备跟着订单走。这种做法相当于把厂房空间做成"产能期权":需求超预期可以快速加设备,需求走弱就暂缓,避免新增晶圆集中涌出冲击价格。
财务层面,铠侠计划2026—2028财年平均每年资本支出约4700亿日元,较2025财年增约六成,三年累计近1.4万亿日元;研发投入同期年均约2300亿日元,较2025财年增63%。公司表示若AI实际需求超出预测,仍可能进一步追加装置投资,但"可以追加"不等于"立即扩产"——企业级SSD还要走控制器适配、可靠性测试、服务器平台认证、客户验证等流程,第十代目前仍在样品阶段。
业务结构上,铠侠过去收入跟着智能手机和PC周期走,波动大;新目标是把数据中心和企业级产品收入占比提到60%以上(2028财年口径)。企业级SSD验证周期长、客户切换成本高,铠侠同时计划扩大多年期长期协议(LTA)覆盖,用客户采购承诺来平滑过去靠现货价和短单带来的周期震荡。
几个需要冷静看的变量
一是预测数据能否兑现。295EB→909EB、AI推理CAGR 86%这些是铠侠引用的机构预测,本身带有假设前提,不等于必然落地。二是第十代332层的"成本/功耗/可靠性"优势目前仍是厂商内部测算,要等客户验证和量产爬坡后才有真实数据。三是NAND行业过去几轮下行周期记忆犹在,即便AI拉动,供给端如果几家大厂同步加码,价格仍可能回头。第三方机构给出的2026年二三季度合约价环比涨幅已在收窄——二季度传统DRAM涨58%–63%、NAND整体涨55%–60%,三季度各类涨幅均明显缩小。
至于股价层面,受AI存储叙事带动,铠侠年内股价反弹幅度较大,市值较周期底部修复明显。但存储板块本身Beta高、价格波动大,厂商资本支出一旦激进也容易反噬,公开资料里的倍数表述各家口径不一,建议以公司正式披露和东京交易所数据为准,本文不构成任何投资建议。
AI推理放量,NAND从"后台"挪向"算力链"中间层
过去两年生成式AI的基础设施投资主要集中在训练侧,市场目光一度被GPU和HBM牵引。但当模型进入大规模应用阶段后,推理负载的特征开始显现——需要反复读取模型权重、检索外部知识、缓存上下文,并记录智能体(Agentic AI)执行任务过程中产生的大量中间数据。
HBM带宽高但单价贵、容量有限,不可能承载全部数据;DRAM与机械硬盘之间,企业级SSD正成为越来越关键的一层。铠侠在2026年投资者日援引TechInsights数据:全球闪存需求规模预计从2025年的295EB增长到2028年的909EB,接近3倍;其中数据中心市场年复合增长率约46%,而与AI推理直接相关的需求年复合增长率高达86%,明显高于训练侧16%的水平。
太田社长把需求增量进一步拆到两类应用:一是Agentic AI,即AI自主拆解任务、调模型、调工具、连续执行,一次复杂任务可能对应数十到数百次模型调用;二是Physical AI,把AI延伸到机器人、汽车、工业装置,要处理摄像头、雷达、设备状态的连续数据流,部分还需本地保存和推理。两类场景都对存储的容量、读取速度、功耗、耐久度提出了比训练时代更细的要求。
第十代BiCS 10:不盲目冲层数,押332层平衡方案
这次送样的第十代BiCS FLASH,采用332层堆叠,NAND接口速度4.8Gb/s(较第八代218层提升33%),位密度提升59%,写入与读取功耗效率分别改善18%和30%。技术上延续了第八代引入的CBA(CMOS直接键合阵列)工艺——CMOS逻辑电路与存储阵列分晶圆制造后再键合,铠侠口径是这项工艺比行业平均落地时间点提前4年以上。
值得留意的是铠侠对"层数竞赛"的态度。3D NAND堆得越高,工艺步骤、加工时间、良率控制难度都会抬升。铠侠内部测算,相比假设性的400层以上架构,332层方案的单位GB成本约低10%、功率效率高约10%、存储单元可靠性高约35%。因此第十代并没有盲目冲500层、600层,而是选择332层加横向微缩,在位密度、成本、功耗、可靠性之间找平衡点,主要面向企业级和数据中心SSD;同时第九代节点继续承担AI手机、AI PC等偏消费类的高性能需求,避免全产品线一起迁移到昂贵新工艺。
闪迪同步发布的公告显示,双方共享同一合资厂技术,BiCS10是闪迪2025年从西部数据拆分独立后首批拿出的下一代NAND产品之一。
K2厂房分阶段装机,三年资本支出累计近1.4万亿日元
北上K2厂房2025年9月已投产,初期做第八代218层产品,并为先进节点预留空间。铠侠这次明确:K2不会一次性填满设备,而是按市场节奏分阶段装机——厂房建筑和洁净室先就位,光刻、刻蚀、沉积、键合等设备跟着订单走。这种做法相当于把厂房空间做成"产能期权":需求超预期可以快速加设备,需求走弱就暂缓,避免新增晶圆集中涌出冲击价格。
财务层面,铠侠计划2026—2028财年平均每年资本支出约4700亿日元,较2025财年增约六成,三年累计近1.4万亿日元;研发投入同期年均约2300亿日元,较2025财年增63%。公司表示若AI实际需求超出预测,仍可能进一步追加装置投资,但"可以追加"不等于"立即扩产"——企业级SSD还要走控制器适配、可靠性测试、服务器平台认证、客户验证等流程,第十代目前仍在样品阶段。
业务结构上,铠侠过去收入跟着智能手机和PC周期走,波动大;新目标是把数据中心和企业级产品收入占比提到60%以上(2028财年口径)。企业级SSD验证周期长、客户切换成本高,铠侠同时计划扩大多年期长期协议(LTA)覆盖,用客户采购承诺来平滑过去靠现货价和短单带来的周期震荡。
几个需要冷静看的变量
一是预测数据能否兑现。295EB→909EB、AI推理CAGR 86%这些是铠侠引用的机构预测,本身带有假设前提,不等于必然落地。二是第十代332层的"成本/功耗/可靠性"优势目前仍是厂商内部测算,要等客户验证和量产爬坡后才有真实数据。三是NAND行业过去几轮下行周期记忆犹在,即便AI拉动,供给端如果几家大厂同步加码,价格仍可能回头。第三方机构给出的2026年二三季度合约价环比涨幅已在收窄——二季度传统DRAM涨58%–63%、NAND整体涨55%–60%,三季度各类涨幅均明显缩小。
至于股价层面,受AI存储叙事带动,铠侠年内股价反弹幅度较大,市值较周期底部修复明显。但存储板块本身Beta高、价格波动大,厂商资本支出一旦激进也容易反噬,公开资料里的倍数表述各家口径不一,建议以公司正式披露和东京交易所数据为准,本文不构成任何投资建议。






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