国产存储器技术新突破：“换道”超车之路
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2026-07-07
一、 国内DRAM厂商布局键合DRAM：以架构创新规避设备瓶颈
长期以来，在DRAM（动态随机存取存储器）制造领域，EUV（极紫外光）光刻机被视为迈入先进制程的绝对“入场券”。然而，面对复杂的外部设备限制环境，国内DRAM厂商正在推进一条专注于“键合DRAM”（Bonded DRAM）技术的研发产线。这一举动被业界视为试图通过技术路线的差异化，打破传统制程微缩对单一设备的依赖。
传统的DRAM制造工艺，通常是将存储单元阵列（Cell Array）与负责控制的逻辑电路（Peripheral Circuitry）集成在同一块晶圆上进行制造。随着制程节点不断向10纳米甚至更先进级别逼近，这种平面集成的方式对光刻精度的要求呈指数级上升，必须依赖EUV设备才能完成精细线路的刻画。
而国内DRAM厂商所攻关的“键合DRAM”则采用了截然不同的“分体制造、晶圆贴合”思路。这就像是在建造摩天大楼时，不再试图在一块地基上拥挤地建设所有设施，而是将“居住区”（存储单元）与“管理区”（逻辑电路）分别在不同的地块上建造，最后通过高精度的电梯系统（混合键合技术）将它们无缝连接。
这种创新架构为国产存储产业带来了双重战略价值。首先，它有效规避了设备瓶颈。由于存储单元和逻辑电路可以分开制造，每一部分的电路密度要求相对降低，这使得厂商可以使用成熟的DUV（深紫外光）设备配合多重曝光（Multi-Patterning）工艺来完成制造。这意味着，即便在没有EUV设备支持的情况下，依然能够生产出高性能、高密度的DRAM芯片，为产能的持续扩张争取了宝贵的自主权。
其次，该架构显著提升了性能与密度。三维堆叠结构使得芯片内部布局更加紧凑，电气连接路径更短，从而有效降低了漏电流与信号干扰。在同等成本下，键合DRAM的容量与读写性能有望超越传统架构，能够更好地适配AI服务器、高端智能手机以及数据中心对高带宽、低功耗存储器的苛刻需求。目前，国内DRAM厂商正集中顶尖研发力量攻关，力争在这一细分领域先于国际巨头实现商业化落地。
二、 国内NAND厂商专利优势凸显：NAND闪存领域的“护城河”
如果说DRAM领域的突破是“换道”，那么在NAND闪存领域，国内NAND厂商则是在既定赛道上通过技术革新筑起了坚实的“护城河”。凭借自主研发的创新架构，国内NAND厂商已在全球NAND闪存市场占据了一席之地，并正在改写技术规则。
该架构是全球首个实现大规模量产的晶圆对晶圆（W2W）混合键合技术。在传统的3D NAND制造中，存储单元和逻辑电路是在同一片晶圆上串行制造的，这往往导致工艺兼容性差、生产周期长。而该创新技术允许在两片晶圆上分别独立加工存储单元和逻辑电路，优化各自的工艺制程，最后通过数十亿个金属互联通道进行键合。这种直接键合方式大大缩短了电气路径，不仅提升了I/O传输速度，还显著改善了芯片的散热能力与位密度。
技术优势正在迅速转化为专利壁垒。据行业权威数据统计，在3D NAND混合键合这一关键技术领域，国内NAND厂商拥有的核心专利数量已超越三星电子与SK海力士，位居全球前列。这一专利布局的影响力已在产业链上游显现。近期市场消息显示，为了推进其下一代V10 NAND（预计堆叠层数将超过400层）的研发与量产，三星电子已与国内MAMD厂商达成了专利许可协议，计划在其新产品中采用相关的混合键合技术。这一里程碑事件标志着国产存储技术在底层架构上已获得国际一线大厂的实质性认可，从技术的“跟随者”逐渐转变为行业标准的“参与者”与“贡献者”。
三、 市场格局生变：从通用市场向AI核心地带渗透
技术的突破最终需要市场的验证。根据Counterpoint Research的统计数据，国内DRAM厂商在全球DRAM市场的份额已从2025年的3%迅速攀升至2026年第一季度的8%。这一增速背后，是国产存储器从低端消费电子向高端核心供应链渗透的清晰轨迹。
值得注意的是，国内DRAM厂商目前正被视为苹果公司的新DRAM供应商候选之一。尽管这一合作尚处于早期接触阶段，但如果能够成功进入全球顶尖科技巨头的供应链，将是对国产存储器品质与稳定性的最强背书。与此同时，国内DRAM厂商并未满足于通用型DRAM的市场份额，而是将约20%的产能转向了高带宽存储器（HBM）的研发，目标直指HBM3及HBM3E规格。在AI服务器需求井喷的当下，HBM已成为算力竞争的关键。国内DRAM厂商采取了与DRAM类似的策略，即利用DUV多重曝光技术代替EUV来生产HBM，并计划于明年实现HBM3E产品的量产。
此外，国内DRAM厂商还联手国内Fabless设计厂商，共同推进CXL（Compute Express Link）3.0内存产品的开发。CXL被视为“后HBM时代”的关键技术，能够大幅降低处理器与内存间的数据传输延迟，这对于处理AI大模型推理等大规模数据负载至关重要。
四、 结语：国内厂商正在重塑全球存储器版图
回顾国产存储器的发展历程，从最初的举步维艰到如今的“三足鼎立”雏形初现，每一步都走得艰难而坚定。韩国学界近期有声音警告称，由出口管制撑起的“黄金窗口期”正在关闭，这从侧面反映了中国半导体产业在压力下的韧性。
国内存储器厂商的实践证明，在摩尔定律放缓的今天，通过架构创新（如键合技术、创新架构）同样可以实现性能的飞跃。未来，随着产能的进一步释放（预计国内DRAM厂商产能将在两年内增长逾42%）以及HBM、CXL等高端产品的落地，全球存储器市场的竞争格局将更加多元。对于中国半导体产业而言，这不仅是市场份额的争夺，更是一场关于技术自主权与产业链安全的持久战。在这场没有硝烟的战争中，坚持长期主义的研发投入与开放合作的生态建设，将是赢得未来的关键。
长期以来，在DRAM（动态随机存取存储器）制造领域，EUV（极紫外光）光刻机被视为迈入先进制程的绝对“入场券”。然而，面对复杂的外部设备限制环境，国内DRAM厂商正在推进一条专注于“键合DRAM”（Bonded DRAM）技术的研发产线。这一举动被业界视为试图通过技术路线的差异化，打破传统制程微缩对单一设备的依赖。
传统的DRAM制造工艺，通常是将存储单元阵列（Cell Array）与负责控制的逻辑电路（Peripheral Circuitry）集成在同一块晶圆上进行制造。随着制程节点不断向10纳米甚至更先进级别逼近，这种平面集成的方式对光刻精度的要求呈指数级上升，必须依赖EUV设备才能完成精细线路的刻画。
而国内DRAM厂商所攻关的“键合DRAM”则采用了截然不同的“分体制造、晶圆贴合”思路。这就像是在建造摩天大楼时，不再试图在一块地基上拥挤地建设所有设施，而是将“居住区”（存储单元）与“管理区”（逻辑电路）分别在不同的地块上建造，最后通过高精度的电梯系统（混合键合技术）将它们无缝连接。
这种创新架构为国产存储产业带来了双重战略价值。首先，它有效规避了设备瓶颈。由于存储单元和逻辑电路可以分开制造，每一部分的电路密度要求相对降低，这使得厂商可以使用成熟的DUV（深紫外光）设备配合多重曝光（Multi-Patterning）工艺来完成制造。这意味着，即便在没有EUV设备支持的情况下，依然能够生产出高性能、高密度的DRAM芯片，为产能的持续扩张争取了宝贵的自主权。
其次，该架构显著提升了性能与密度。三维堆叠结构使得芯片内部布局更加紧凑，电气连接路径更短，从而有效降低了漏电流与信号干扰。在同等成本下，键合DRAM的容量与读写性能有望超越传统架构，能够更好地适配AI服务器、高端智能手机以及数据中心对高带宽、低功耗存储器的苛刻需求。目前，国内DRAM厂商正集中顶尖研发力量攻关，力争在这一细分领域先于国际巨头实现商业化落地。
二、 国内NAND厂商专利优势凸显：NAND闪存领域的“护城河”
如果说DRAM领域的突破是“换道”，那么在NAND闪存领域，国内NAND厂商则是在既定赛道上通过技术革新筑起了坚实的“护城河”。凭借自主研发的创新架构，国内NAND厂商已在全球NAND闪存市场占据了一席之地，并正在改写技术规则。
该架构是全球首个实现大规模量产的晶圆对晶圆（W2W）混合键合技术。在传统的3D NAND制造中，存储单元和逻辑电路是在同一片晶圆上串行制造的，这往往导致工艺兼容性差、生产周期长。而该创新技术允许在两片晶圆上分别独立加工存储单元和逻辑电路，优化各自的工艺制程，最后通过数十亿个金属互联通道进行键合。这种直接键合方式大大缩短了电气路径，不仅提升了I/O传输速度，还显著改善了芯片的散热能力与位密度。
技术优势正在迅速转化为专利壁垒。据行业权威数据统计，在3D NAND混合键合这一关键技术领域，国内NAND厂商拥有的核心专利数量已超越三星电子与SK海力士，位居全球前列。这一专利布局的影响力已在产业链上游显现。近期市场消息显示，为了推进其下一代V10 NAND（预计堆叠层数将超过400层）的研发与量产，三星电子已与国内MAMD厂商达成了专利许可协议，计划在其新产品中采用相关的混合键合技术。这一里程碑事件标志着国产存储技术在底层架构上已获得国际一线大厂的实质性认可，从技术的“跟随者”逐渐转变为行业标准的“参与者”与“贡献者”。
三、 市场格局生变：从通用市场向AI核心地带渗透
技术的突破最终需要市场的验证。根据Counterpoint Research的统计数据，国内DRAM厂商在全球DRAM市场的份额已从2025年的3%迅速攀升至2026年第一季度的8%。这一增速背后，是国产存储器从低端消费电子向高端核心供应链渗透的清晰轨迹。
值得注意的是，国内DRAM厂商目前正被视为苹果公司的新DRAM供应商候选之一。尽管这一合作尚处于早期接触阶段，但如果能够成功进入全球顶尖科技巨头的供应链，将是对国产存储器品质与稳定性的最强背书。与此同时，国内DRAM厂商并未满足于通用型DRAM的市场份额，而是将约20%的产能转向了高带宽存储器（HBM）的研发，目标直指HBM3及HBM3E规格。在AI服务器需求井喷的当下，HBM已成为算力竞争的关键。国内DRAM厂商采取了与DRAM类似的策略，即利用DUV多重曝光技术代替EUV来生产HBM，并计划于明年实现HBM3E产品的量产。
此外，国内DRAM厂商还联手国内Fabless设计厂商，共同推进CXL（Compute Express Link）3.0内存产品的开发。CXL被视为“后HBM时代”的关键技术，能够大幅降低处理器与内存间的数据传输延迟，这对于处理AI大模型推理等大规模数据负载至关重要。
四、 结语：国内厂商正在重塑全球存储器版图
回顾国产存储器的发展历程，从最初的举步维艰到如今的“三足鼎立”雏形初现，每一步都走得艰难而坚定。韩国学界近期有声音警告称，由出口管制撑起的“黄金窗口期”正在关闭，这从侧面反映了中国半导体产业在压力下的韧性。
国内存储器厂商的实践证明，在摩尔定律放缓的今天，通过架构创新（如键合技术、创新架构）同样可以实现性能的飞跃。未来，随着产能的进一步释放（预计国内DRAM厂商产能将在两年内增长逾42%）以及HBM、CXL等高端产品的落地，全球存储器市场的竞争格局将更加多元。对于中国半导体产业而言，这不仅是市场份额的争夺，更是一场关于技术自主权与产业链安全的持久战。在这场没有硝烟的战争中，坚持长期主义的研发投入与开放合作的生态建设，将是赢得未来的关键。
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