英特尔透过记忆体和储存的创新　加速发展以资料为中心的技术

英特尔今日在南韩首尔举行的全球意见领袖聚会上，介绍了一系列最新科技里程碑，并强调英特尔在以资料为中心的运算时代中，将持续推动记忆体和储存发展的投资与承诺，包括提供客户独特的IntelR Optane™ 技术和IntelR 3D NAND解决方案，以便开发云端、AI和网路边缘装置。

 英特尔的记忆体和储存解决方案正在协助包括微软等众多客户，目前微软正在对其客户端作业系统进行重大更新，以支援IntelR Optane™ 持续性记忆体所提供像是快速启动和游戏读取等众多新功能与特色。英特尔同时也为重要企业客户展示新一代IntelR Optane™ 技术单连结埠固态硬碟，相关产品预计将于2020年上市。

 英特尔资深副总裁暨非挥发性记忆体解决方案事业群总经理Rob Crooke表示：“这世界产生资料的速度越来越快，而企业对于如何有效地处理这些资料也显得越来越无所适从。在众多企业中，能胜出的主要区别就在于谁能够从这些资料中获取价值。这些任务将需要在记忆体和储存层级结构进行先进创新，而这正是英特尔目前所推动的工作。”

 英特尔在这次活动中提到以下最新科技里程碑，包括将在位于美国新墨西哥州Rio Rancho的工厂拓展全新IntelR Optane™ 技术研发生产线的计划，以及宣布代号为“Barlow Pass”的第2代IntelR Optane™ DC持续性记忆体(Persistent Memory)搭载新一代IntelR XeonR可扩充处理器，预计将于2020年推出。同时，英特尔专为用于资料中心的SSD推出领先业界的144层四阶储存单元(Quad Level Cell，QLC) NAND快闪记忆体，也预计将在2020年推出。

 机器所产生的大量资料通常需透过即时分析后，才能赋予资料价值。此项需求突显了记忆体储存层级结构所产生的缺口，即DRAM容量不足、SSD则不够快。而这些缺口可透过IntelR Optane™ DC持续性记忆体来填补，就连更大量的资料集(data set)也可透过储存介面连接的IntelR Optane™ 技术来填补缺口。

 此外，硬碟速度越来越不能满足以资料为中心的运算环境，因此IntelR Optane™ 技术与QLC NAND的组合可改善此状况。整体而言，IntelR Optane™ 是材质、架构、与效能兼具的特殊组合，是现有的记忆体与储存技术无法相比的。