合肥长鑫DRAM逐步放量投向市场

 中国存储器自主研发2019年下半进入量产里程碑，在长江存储顺利量产64层3D NAND后，中国DRAM厂合肥长鑫存储于9月宣布量产自主设计的19奈米DRAM，初期月产能约2万片，预计到了2020年中将扩充至4万片。 另外，由于第三代技术的研发进度顺利，长鑫存储预计将跳过18奈米直接跳级锁定17奈米开发，将可望作为下一阶段产能扩充的主力。 市场人士分析，合肥长鑫的19奈米制程将有利于切入标准型PC应用产品，例如由联想与合肥合资的联宝，长鑫存储将有机会透过共同大股东快速打入终端应用。